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三星电子批量生产极紫外光刻工艺14纳米DRAM
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Posted October. 13, 2021 07:15 Updated October. 13, 2021 07:15
原文内容：
三星电子12日表示，通过能够更加细致地体现半导体电路的极紫外光刻(EUV)工艺，开始
批量生产“14纳米DRAM芯片”
EUV工艺的优点是光波比现有的ArF光刻工艺要更短。这是体现细致的半导体电路模式时使
用的技术。三星电子的目标是以新工艺为基础，引领新一代DRAM市场。
当天，三星电子解释说，在批量生产14纳米(1纳米是10亿分之1米)DRAM的过程中，采用
EUV光刻技术提高了DRAM的性能和产量。将EUV工艺应用于5个层(电路层)，实现了最先进
的14纳米DRAM。在DRAM制造过程中，在多个电路层适用EUV工艺的所谓“多层(Multi-
layer)”技术在世界上只有三星电子拥有。
据三星电子透露，采用多层EUV工艺的14纳米DRAM晶体集成度达到业界最高水平，生产
效率比上一代提高了20%。功耗也比之前的工艺降低了20%左右。三星电子将此次新工艺最
先应用于新一代内存DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM的规格，最高速度为7. 2Gbps(每秒千
兆字节)，这是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。高性能DDR5主要用于数据中心、超级计算机
、企业服务器市场等。
三星电子为适应高容量数据市场的需求，计划通过此次工艺批量生产单一芯片最大容量
24Gb(千兆比特)DRAM。三星电子方面解释说：“我们的战略是，以业界最先进的14纳米工
艺和高成熟度的EUV工艺技术为基础，体现高性能和稳定的收率，引领DDR5 DRAM的大众化
。”
林贤锡 [email protected]
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三星这下用14奈米生产DRAM,会不会又供过于求,导致DRAM价格下降呀!毕竟三星
是市场的领导者.