原文标题：爱普宣告成功实现DRAM与逻辑芯片的3D异质整合
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发布时间：2021-08-25 11:30
原文内容：
力晶集团旗下的爱普（6531）今日宣布已成功实现异质整合高频宽内存（VHMTM），即
DRAM与逻辑芯片的真3D堆叠异质整合。此3D整合芯片提供了相对于高频宽内存（HBM）
十倍以上的高速频宽；其搭载超过4GB的内存容量，更是7奈米制程逻辑芯片内存静态随
机存取内存（SRAM）的最大容量的五到十倍。
爱普科技提供VHMTM，包含客制化DRAM设计及DRAM与逻辑芯片整合接口之VHMTM LInK IP，
力积电则是提供客制化DRAM晶圆代工制造服务，并由台积电提供逻辑制程晶圆代工及3D堆
叠制造服务。此3D堆叠芯片客户为鲸链科技股份有限公司，是一家专注科技创新的无晶圆
厂半导体及系统方案供应商。
爱普表示，半导体产业的封装技术已从传统的2D封装演进到2.5D，再到真正的3D封装技术
。2.5D封装（过去常被泛称为3D）是将多片芯片封装于同一块硅中介板（Silicon
Interposer）上，真正的3D封装技术则是以垂直的连接方式将多片芯片直接立体地互相堆
叠。2.5D封装时的内存频宽受限于硅中介板上可载的横向连接之数量；3D封装因为采用
垂直连接的方式，其连接数量几乎不会受限。
爱普强调，受益于此，相较于2.5D封装，逻辑芯片与DRAM的3D整合将可在显著降低传输功
耗的同时，大幅提升内存的频宽。
力积电指出，逻辑芯片与DRAM的3D整合是力积电在AI内存策略上的最新成果，这项3D技
术将可为DRAM的频宽创造前所未见的可能性，对于AI、网通及图像处理等特别需要大量频
宽的应用，将有极大的帮助。
爱普AI事业部副总经理刘景宏表示，爱普非常高兴能与台积电及力积电等业界领导大厂，
一同在逻辑芯片与DRAM的3D整合上密切合作，帮助客户达到前所未有的产品效能。
他进一步补充说，爱普的使命即是提供优良的内存解决方案，让客户的产品更有竞争力
，创造更多商机。
心得/评论：
异质整合先进封装是未来趋势，明年看更好
上次爱普发布连续两个月营收创历史高，结果从799被杀到5字头
这次发布利多会不会又惨遭杀爆？