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半导体设备和材料本地化 韩国仍高度依赖日本、中国寻求自主发展
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发布时间：
2021年8月4日
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原文内容：
韩国半导体在日本对韩国实施出口限制之下，努力企图突围，但历经两年，似乎效果不尽
理想，然而从长远来看，韩国公司对日本的依赖程度可能会逐年下降。
韩国文在寅政府曾于2021年7月1日表示，韩国公司对从日本进口的工业材料的依赖度已经
下降，在100个关键产品方面，韩国对日本的依赖程度已从31.4%下降到24.9%。
韩国政府称，自2019年7月日本对韩国实施出口限制以来，韩国从比利时进口的光阻剂增
加了10倍，对日本的依赖度已经降至50%以下。但日经新闻指出，从比利时出口到韩国的
光阻剂是由日本化学公司JSR提供的，此外，韩国对日本的整体光阻剂的依赖度仍然超过
80%。2020年韩国从日本进口的光阻剂增加了22%，达到3.2829亿美元，2021年上半年的进
口量也比去年(2020)同期增加了3%。
氟化聚酰亚胺（fluorine polyimide）方面，韩国政府提到，透过采用超薄玻璃作为替代
品，韩国在面板方面对日本氟化聚酰亚胺的依赖程度接近于零。但日经新闻表示，超薄玻
璃用于的折叠式智慧型手机，仅占三星电子智慧手机总出货量的1%，韩国仍在其他情况下
使用日本的氟化聚酰亚胺，2021年上半年从日本进口的氟化聚酰亚胺比去年同期增加15%
，达到4430万美元。
韩国企业也意识到了供应链可能的危机，希望日本企业能在韩国本地增加产量。像是，氟
化氢（hydrogen fluoride）供应商大金工业（Daikin Industries）决定在韩国建厂，可
能导致日本工作机会的减少以及产业的空洞化。
中国寻求半导体设备和材料的本地化方面
中国半导体方面，官方大笔资金挹注并以后进入者追赶，但因政策补贴出现人谋不臧问题
，还有来自美国实施出口管制的压力，而无法循正常管道取得西方先进半导体及芯片技术
。但是，中国正在加快发展半导体设备和材料的制造能力，包括光阻剂（photoresist）
、曝光设备、沉积设备和离子注入设备（ion implanter）。
最近，中国在半导体设备和材料的本地化方面取得了大幅进展，相关企业股价也跟着升高
。由于美国的制裁，中国进口半导体设备变得更加困难，使中国更积极的发展本地技术，
上海微电子装备（SMEE）计画在2021年底推出能够28奈米半导体曝光设备，上海至纯科技
（Zhichun Technology）的28奈米制程湿式清洗设备也已经出货，还计画在2022年内发布
14奈米和7奈米制程的设备，其他中国企业也在开发离子注入等设备。
中国的光阻剂开发也在加速进行。南大光电(Nata Opto)宣布成功开发ArF光阻剂；苏州瑞
红也在大规模生产i-line光阻剂，向中国半导体企业供货，KrF光阻剂则处于试验阶段，
计画2022年开始大规模生产。
由于，中国政府投资半导体设备和材料制造商，包括GaN半导体MOCVD（有机化学气相沉积
设备）设备制造商安泰科技；CVD（化学气相沉积）和清洗设备制造商北方华创；以及光
阻剂和沉积前驱物制造商南大光电。
此外，中国DRAM内存制造商长鑫存储的DDR4 19奈米制程良率宣称已经提升到75%。长鑫
存储计画在年底前开始大规模生产17奈米制程产品，目前的DRAM内存容量以达40K WPM
，但计画在2021年底前扩增到60K WPM。
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受到贸易战影响，中国和韩国积极发展本地半导体设备和材料产业，确保供应链的安全。