1. 标题：
Intel Accelerated
2. 来源：
Intel官网
3. 网址：
https://www.intel.com/content/www/us/en/events/accelerated.html
4. 内文：
Intel释出至2025的制程及先进封装路线图
以下几点个人分析
1. Intel的战略目标是要抢占三星的生态位
这段期间大部份的分析师都是着重在讨论tsmc和Intel之间的代工议题
但公开表态往往是为了隐藏一些真实的意图
从Intel近期的各种操作来看，表面上是要追赶tsmc重新取得技术领导权
实际上目标应该是要挤占三星foundry的地位
像是重新命名node和Pat投书POLITICO这种“纯粹的公关表演”
其背后的意图都是在打击三星的代工生意
2. 新的命名掩盖了技术规格的变更
Intel现在不谈密度，改谈Perf/Watt了
其实是也算合理，毕竟密度不是一个很好的量尺
7->4 20% 4->3 18%
从这两个数字看起来，相比原本的7nm/7nm+ (对应到新的4/3)
调降了4的技术规格，以便能在2022年顺利推出
相对来说3在不作整体scaling的情况下要达到18%的Perf/Watt改进
能不能在2023推出有点微妙
但总体来说是比原本那个规格现实一点，至少是有机会达成的RoadMap
当然Intel也学坏了，在node命名上有稍微偷吃步的嫌疑
新的4大概和tsmc的N5P差不多，新的3大概会比N3差一点
但公允来说，差距并不大
比起三星的4LPE(改名后的5LPA) 实际上还不如N5好多了..
总而言之，Intel 重新命名后对于同一个数字的node
Perf/Watt大致上会是tsmc > Intel > Samsung
当然再次强调差距并不大
3. 20A的时程是2024年 (!?)
老实说这是超级激进的时程
而且用词上有种拿risk production来宣传的嫌疑
当然Intel公关部门有绩效压力
但这该不会是三星那种“默认就是要delay”的Roadmap吧...
没有公布Perf/Watt的改进
不过不太可能达到IBM 2nm的那个规格
我猜最后大概也是略差tsmc的2nm一点
RoadMap符合Intel说的“要在2024年追上”
目前的投影片上看起来是有追上
我个人是觉得20A和18A的进度太乐观了，即使有IBM和ASML帮忙
4. 先进封装的进度让人失望
因为Pat刚上任的演说对于先进封装的进度十分满意
我一度以为Intel有藏招
不过目前看起来2023年Foveros Direct的规格
还不如AMD今年就要用的TSMC-SoIC (AMD用在VCache上)
从AMD的路线图来看，把L3叠在运算核心上是个方向
SRAM die分开制造有很好的成本效益
例如说逻辑运算用2nm GAA制程、SRAM用3nm的高密度制程
Intel受限于封装技术的进度，可能会晚一代才导入这样的设计
(而且..我感觉Intel那个PowerVia最后会在封装上搞到自己)
Fab-lite的经营模式下设计部门要配合制造部门的脚步
无法放开手脚去设计，会是个长期隐忧
所以AMD最后还是痛定思痛把GF放生了XD
5. Intel到底是下什么东西到tsmc的N3？
如果真的是MTL/GNR要下到N3，同时也会用I4作
可能是高阶用N3，低阶先I4，等2023年I3量产再把高阶拉回家作...?
这种产品策略在公关上会是重伤，高阶先外包不知道要怎么圆回来
当然也有可能是某种还没公布的HPC产品(GPU/DPU或MobileEye)下在N3
最后一种可能，就是Intel下N3是芭乐传言
不过有好几个消息来源都提到这件事，感觉不是假的
6. 题外话，关于政治风向
美国政府的立场和Intel的立场显然有差异
不然也不需要法案过了之后再用投书来作公关表态
投书只是放话，真正实质的利益都是要lobbyist乔的
这也蛮合理的，美国政府要考虑的棋局比Intel的复杂多了
不可能只顾及Intel的商业利益
从产业现实面来看，电子消费品的产业链不是只有半导体一个关键环节
有很多东西根本不可能在美国作的
最终就像Morris说的，可能会浪费了许多时间金钱人力之后
还是达不到一个自给自足的结果
电子科技业是以“硅谷作为大脑、日韩台作为心脏”这样的形式存在的
当心脏曝露在危险中，合理的选择是穿件防弹衣，不是动心脏移殖手术
我感觉美国政府终究还是会认清现实
另外李在镕的特赦案，以及韩国明年大选的结果
可能都会牵动整个半导体产业的竞合赛局..