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即使武汉弘芯解散，中国发展半导体的目标不受任何影响
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发布时间：
2021年3月8日
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原文内容：
武汉弘芯（HSMC）于2021年3月5日正式解散，这是一场闹剧或中国发展半导体的典型代表
。但是，中国发展半导体的决心不会因此而退缩！
武汉弘芯成立于2017年且于2020年开始研发7奈米制程，原计划从中国政府和国有企业获
得1,280亿人民币（约200亿美元）的投资，且从台积电和其他半导体公司聘请高阶人员与
人才，但最后其实际从政府中获得的资金不到23亿美元，远低于预期。
尤其，半导体技术受制于美国管制出口限制，中国半导体发展的脚步变得缓慢，甚至许多
中国半导体企业最后面临解体的命运。尽管，代表性半导体公司倒闭的冲击，但中国半导
体产业仍是在成长阶段，尤其是外资在中国扩建半导体厂，例如：三星扩建西安厂，台积
电南京厂16奈米扩建。
目前，中国政府聚焦于实现逻辑和内存半导体自给自足生产的计划。首先，长江存储于
2020年宣布开发出128层3D NAND，现今已经实现大量生产，良率也达到75%以上。该公司
于2021年1月底，又宣布最新研发的192层堆叠的NAND快闪存储器，将会2021年进行试产。
在NAND产能上，预计在2021年下半年开始，每月内存芯片产能将翻一番，最终实现10万
片晶圆的产能，约占全球7%的占有率。未来还将进一步突破至30万片产能，期望能够超越
美光的每月18万片晶圆目标。
其次，长鑫存储最近已从中国政府获得大量投资。该公司正在制造19奈米DRAM，产能为每
月4万片晶圆。计划在不久的将来可以将17奈米DRAM带入量产阶段。长鑫存储更是预计到
2021年底，其总产量将增至每月7万，大约占全球DRAM总产量的5%。
最后，中芯国际公告终于2021年3月1日获得美国政府的供货许可，让其可获得部分成熟制
程的DUV设备，至于14奈米EUV关键设备仍未获通过许可。为了因应全球芯片紧缺，中芯国
际决定对成熟制程扩大投资，因而预计2021年资本支出为43亿美元，其中大部分用于成熟
制程扩产，小部分用于先进制程、北京新合资项目土建及其他。并计画，于2021年将用于
成熟制程的12吋晶圆厂产能扩产至1万片，8吋晶圆产线扩产不少于4.5万片。
现在看起来，长江存储（YMTC）将专攻NAND型快闪存储器，而长鑫存储（CXMT）将专攻
DRAM，中芯国际将专攻晶圆代工制造，成为中国半导体发展的铁三角。尤其，中国在北斗
卫星、超级电脑等领域，已有能力生产自主芯片。
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中国以中芯、长江存储、长鑫存储三家公司为主，发展本土半导体制造能力，朝自给自足
迈进。