原文标题：
加速投资第三代半导体SiC与GaN，台积电专攻GaN代工，其他大厂与韩国聚焦SiC
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发布时间：
2021年2月17日
(请以原文网页/报纸之发布时间为准)
原文内容：
涵盖SiC和GaN在内的下一代化合物功率半导体市场的成长，将从2021年开始进入快速成长期。根据市场研究公司Yole预测，到2024年，SiC功率半导体市场将以29%的年复合成长率成长，达到20亿美元规模。
如今化合物半导体已经开始用于5G装置，工业设施，电动车和太阳能等产业。此外，GaN电晶体也已被大量用于智慧型手机和笔记型电脑的充电变压器之中。
就在这商机之下，韩国的贸易，工业和能源部（MOTIE）宣布，将加大对化合物半导体的研发和基础设施的支持，进而希望韩国能够从2021年起抢占全球SiC和GaN市场的商机。
配合韩国政府的政策下，韩国企业开始进行一系列相关投资。例如：2021年1月28日，SK集团向YEST的子公司Yes Power Technix投资了268亿韩圜。Yes Power Technix成立于2017年，研究和开发SiC器件，其6吋和8吋晶圆生产线的SiC晶圆年生产能力达到每年14,000片的水准。此外，SK集团下的SK Siltron最近收购了杜邦的SiC晶圆业务。
在化合物半导体的生产中，晶圆生产技术很重要。在GaN上，厂商是通过使用MOCVD设备在基板上生长GaN外延层来制造GaN半导体。至于SiC，其是在SiC外延晶圆上通过多层晶圆上沉积几微米厚的SiC单晶层而制成。
SiC芯片是由Cree、英飞凌、意法半导体和Rohm等主要公司生产。在韩国，SK Siltron期望能跟上这些厂商的脚步。
其中，Cree计划到2024年将SiC产能提高30倍，并为其GaN业务投资10亿美元。意法半导体的SiC芯片组相关销售额在2019年达到2亿美元，目标是到2025年达到10亿美元目标。至于GaN，总部位于加拿大渥太华的GaN功率电晶体供应商GaN系统（GaN Systems）宣布其出货量达到2000万颗，其与合作伙伴台积电预计在2021年能够完成40倍的产能扩张计划。
基本上，GaN比起SiC便宜许多，因为SiC需要更昂贵和复杂的制程。如果要增加SiC容量，其所需的成本是GaN的10倍以上。对于GaN而言，低资本支出以及较低的基板成本，都让GaN电晶体的成本低于SiC。但由于材料特性不同，这两种元件适合的应用市场也有所区隔。一般来说，SiC与GaN的区隔市场以耐受电压600~650伏特为界，高于此一区间的应用是以SiC为主；低于此一区间的市场则是以GaN为主。
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韩国政府希望抢占GaN和SiC半导体市占率，将加大国家对相关企业的支持，韩国企业也因此动作频频，开始进行子公司的投资及并购。