[新闻] MRAM下世代明星产品 加速商业化进程

楼主: ynlin1996 (Kennylin)   2020-08-17 13:49:18
MRAM下世代明星产品 加速商业化进程
1.原文连结:
https://bit.ly/2DYfC5a
2.原文内容:
随着MRAM愈来愈火热,成立于2007年的Spin Memory先在2018年的B轮融资中获得5200万美元,在2020年7月又获得850万美元融资的挹注,让其融资总额达到1.58亿美元。
2020年8月12日新创公司Spin Memory已开发出一种电晶体,可以大大提高MRAM和电阻性RAM的密度,称之为Universal Selector。而且该技术还可以克服DRAM中一个名为Row Hammer的安全漏洞。简单来说,Universal Selector允许芯片上内存得以实现比以往更高的性能,可靠性和密度,这将推动创新以满足摩尔定律所预期的水准。
这项创新技术除了让MRAM和ReRAM产品受益之外,DRAM也获得改进的空间。Universal Selector能让这些内存采取新的布局、更小的单元占用空间并提高密度,进而带来前所未有的更高水准的性能、可靠性和密度。此外,Universal Selector是第一个可解决DRAM的Row Hammer问题,同时又降低软错误率(SER)和内存流失。现今Spin Memory正在与NASA合作研究这项技术的适用性,以开发低软错误率和无Row Hammer的DRAM解决方案。
Spin Memory的Universal Selector为垂直单元电晶体提供了一种新颖的设计方法,目前已经提交给JEDEC工作小组,评估Row Hammer问题的解决方案。
除了解决Row Hammer问题之外,Universal Selector还通过其4F2 DRAM位元配置将DRAM阵列密度提高了20%–35%。
对MRAM、ReRAM和PCRAM之类的新兴内存来说,Universal Selector使制造商能够创建6F2 – 10F2的1T1R内存位元,从而使制造商能够在相同面积内嵌入五倍的内存,进而提高内存密度,满足AI,虚拟实境,边缘运算等技术的需求。
此外,Universal Selector还能让MRAM达到与SRAM类似的性能水准。更重要的是,再结合Spin Memory公司的其他MRAM IP和创新技术,能克服MRAM的所有局限性,为产业提供了下一代非挥发性内存解决方案。
近年来,随着人工智能、自动驾驶、5G与边缘运算推动之下,DRAM、NAND型快闪存储器与SRAM已经不能满足未来需求,因而MRAM(磁阻随机存取内存)逐渐成为市场焦点。因为MRAM结合了DRAM的成本优势,SRAM的快速读写性能以及NAND快闪存储器的非挥发性,因而吸引了台积电、三星和Globalfoundries等几家晶圆代工厂商的注意与投入。
总之,未来随着各大晶圆厂大力支持,以及MRAM新创公司在技术上不断蜕变,MRAM的发展脚步会加快,为新兴内存技术的商业化进程带来动力。
3.心得/评论:
Spin Memory公司所开发的Universal Selector新技术,不只能帮助MRAM,亦能解决DRAM的问题,促进产品的进步。
作者: gracefeather   2020-08-17 14:09:00
这只是解决MRAM巨额成本的一小部分而已吧
作者: musicfreshma (快乐并不需要理由)   2020-08-17 22:00:00
猜测提高密度的主因应该是因为用VGAA做selector吧

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