GaN和SiC功率半导体市场将在2021年突破10亿美元
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由于，在混合动力与电动汽车、电源和太阳能光电（PV）需求的刺激下，新兴的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体市场，预计在2021年将突破10亿美元。
根据Omdia《2020年SiC和GaN功率半导体报告》，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入，预计未来十年的市场收入将以两位数的速度增长，将从2020年的8.54亿美元增加到2029年将超过50亿美元。
其实，SiC肖特基二极管已进入市场十多年了，近年来出现了SiC金属氧化物半导体场效应电晶体（SiC MOSFET）和结栅场效应电晶体（SiC JFET）。SiC功率模组也越来越多，包括混合SiC模组、包含带Si绝缘栅双极电晶体（IGBT）的SiC二极管，以及包含SiC MOSFET的全SiC模组。
在SiC MOSFET受到制造商欢迎而已有多家公司提供产品，也因此导致平均价格在2019年下降，包括推出定价与硅超结合MOSFET竞争的650V、700V和900 V之SiC MOSFET，以及供应商之间的竞争加剧。价格下跌也将促使SiC MOSFET技术更快地被采用。
相比之下，GaN功率电晶体和GaN系统IC最近才出现在市场上。GaN是一种宽带隙(WBG)材料，具有与SiC类似的性能优势，但具有更高的降低成本的潜力。这些具有价格和性能优势，因为GaN功率器件可以生长在比SiC便宜的硅或蓝宝石基底上。尽管现在可以提供GaN电晶体，但预计Power Integrations、德仪和Navitas Semiconductor等公司的GaN系统IC的销售，将以更快的速度增长。
SiC和GaN功率半导体市场趋势
预估从2021年起，SiC MOSFET将加快速度增长，成为最畅销的SiC功率器件。SiC JFET供应商较少、仍保持特殊的利基产品，但收入将比SiC MOSFET小得多。
混合SiC功率模组结合了Si IGBT和SiC二极管，完整的SiC功率模组预计到2029年将达到8.5亿美元。因将首先进入混合动力和电动汽车动力总成逆变器(powertrain inverters)。相比之下，混合SiC电源模组将主要用于太阳能（PV）逆变器、不间断电源系统和其他工业应用之成长率并不高。
现在，SiC和GaN功率器件都获得供应商，甚至是新进入市场的供应商通过JEDEC和AEC-Q101认证。SiC和GaN器件通常看起来比硅更好。
带有GaN电晶体和GaN系统IC的最终产品正在量产，尤其是USB C型电源适配器和充电器，可为手机和笔记型电脑快速充电。同样，许多GaN器件由代工商制造，可在标准硅芯片上提供GaN外延电晶体的生长，并且随着产量的增加而无限扩大产能。
3.心得/评论：
电动车电子元件带动GaN和SiC功率半导体，前景看好，功率半导体领导厂商，意法半导体、英飞凌、安森美半导体和三菱电机等都可能随时进入该领域抢夺商机。