三星电子宣称开发出3奈米芯片制程
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韩国媒体Business Korea报导，三星电子已成功开发出业界首个3奈米芯片制造技术，这也是其半导体2030愿景目标之一。与三星电子最近完成制造工艺的5奈米产品相比，3奈米半导体的芯片尺寸缩小了35％，功耗降低了50％，但性能却提高了30％。三星电子计划在2022年开始大规模生产3奈米芯片。其他先进制程细节，并未揭露。
其实，三星2019三星代工产业论坛于2019年 5月14日(当地时间)在美国圣克拉拉举行，会上宣布各种晶圆制程节点的计划，其中包括5nm FinFET和3nm GAAFET的变体。三星宣布2020年量产5nm FinFET，预计将于2019年下半年开始量产6nm芯片。至于3奈米制程，将在明年(2020)完成开发3奈米制程“环绕式闸极结构”（Gate-All-Around，GAA）节点技术，并在2021年开始量产。看来，3奈米大规模量产计画又要延后至2022年。
根据三星所揭露资料，GAAFET（Gate-All-Around）制程节点是由三星与IBM合作开发的。与传统的FinFET设计相反，GAAFET允许栅极材料从所有侧面围绕通道。三星声称MBCFET(GAAFET商标名称)的设计将改善芯片制程的开关行为，并允许处理器将工作电压降至0.75V以下。
近日，三星电子似乎产能一直不太顺利。在韩国华城的芯片厂2019年12月31日下午停电大约一分钟，导致一些半导体生产线部分停摆。由于区域电缆发生问题导致停电，三星电子（Samsung Electronics）一些动态随机存取内存（DRAM）和储存型快闪存储器（NAND Flash）芯片生产线停摆，预计要2、3天左右才能完全恢复。这起事件可能让三星损失数百万美元。
同时，现代汽车集团于1月2日宣布，到2025年将投资100兆韩元（860亿美元），以确立在未来汽车移动市场的领导地位。同一天，现代汽车集团执行副总裁郑义善在新年致辞中宣布集团投资计划，表示将通过开发电动汽车平台并增强电动汽车关键零部件的竞争力，来扩大在电动汽车（EV）市场的全球影响力。该集团计划到2025年推出总共44辆电动汽车。其实，车联网或电动车需要许多先进系统芯片。韩国将借助各产业的需求整合来拉抬三星的半导体技术及现代汽车的智慧汽车市场。
3.心得/评论：
据称三星已成功开发3奈米GAA制程，并于2022年量产。