三星电子和SK海力士将削减2020年DRAM、Flash投资预算
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2.原文内容：
因应DRAM、NAND Flash半导体市场放缓，三星电子和SK海力士预计削减2020年投资预算，他们认为，5G智慧手机的芯片需求成长力并不足以抵消英特尔延迟推出新CPU导致的芯片需求下滑。
根据IC market的报告显示，2017年到2019年，三星在半导体设备上的投资额达668亿美元，远远超过了英特尔的430亿美元，位居第二。因此有半导体产业专家表示，三星相信公司在半导体领域的投资速度有必要进行调整。
所以，三星的“弹性投资”策略被半导体产业视为削减投资。DDR4 8 Gb DRAM的定价在10月为2.81美元，比9月下降了4.42%，而在跌价期间增加投资只会加速价格的下跌，三星也透露了中国西安2厂和在韩国平泽2厂明年的运营计划，但并未指明生产项目和数量。
SK海力士方面，近期也宣布减少投资额：“相比今年(2019)，明年DRAM和NAND flash产量都将减少，也因此将大幅减少明年的投资额。”NAND flash的利润低于DRAM，其价格在2019年上半年跌至损益平衡点（BEP）。因此，若DRAM价格没有反弹，内存半导体产业的收益不会提高。此外，今年SSD出口下降47%，累计至今年第三季达31.37亿美元。
三星和海力士都希望2020年上半年能保持其DRAM库存在可控制范围，这两家公司将通过调整产量来削减库存，此举也意味着利润不太可能增加。三星电子正透过将10nm 1X生产线转为10nm 1Y生产线，并将部分DRAM设备转为CMOS影像传感器生产线以调整其出货量。
3.心得/评论：
不敌DRAM和NAND flash价格的下跌，SK海力士和三星都宣布2020年将采弹性投资策略，并将适度调整产线及产量。