美光斥资台币 4,000 亿元在台扩产，1z nm DRAM 生产技术落脚中科
科技新报 2019/08/26
根据《经济日报》报导，为了满足未来在 5G 时代中包括人工智能、物联网、智慧驾驶等运用的需求，全球三大 DRAM 制造商之一的美光 (Micron) 将斥资超过台币 4,000 亿元，于台中中科厂区扩大产线。
报导指出，目前为在台湾投资最大外商的美光，这次再加码投资台湾，是计划在中科再兴建 A3 及 A5 两座厂房。其中，在 A3 厂房方面，预计 2020 年 8 月份完工，并且在第 4 季陆续导入试产最新的第 3 代 10 奈米级 (1z nm) 制程。至于，在第 2 期的 A5 厂房方面，美光则会依据届时市场上的需求，逐步增加产能。据了解，目前规划的月产能为 6 万片。
对此，美光坦承目前在 A3 厂已进入兴建阶段，并且以扩建无尘室为主，而且还将将入包括桃园与台中中科前段晶圆厂的生产线，并进一步提升美光在台 DRAM 卓越中心的设备更新、技术升级。至于两个厂的投资金额与其他细节规划，美光则不方便透露。另外，除了产能的扩充之外，美光将进一步整并现有的组织架构，包括当前的 A1 及 A2 厂将直属美光台湾董事长兼台中厂营运长徐国晋管辖，其他职务重叠的主管将进行优退。
事实上，美光日前就已经正式宣布开始量产第 3 代 10 奈米级 (1z nm) 制程 DRAM，而且市场人士也预计将会在台中中科厂区规划产线生产。如今，证实该项讯息。而根据美光日前的表示，与第 2 代 10 奈米级（1y nm）制程相比，美光的第 3 代 10 奈米级 (1z nm) 制程技术将使该公司能够提高其 DRAM 的位元密度，进而增强性能，并且降低功耗。
此外，以第 3 代 10 奈米级制程所生产新一代 DRAM，就同样是 16GB DDR4 的产品来比较，功耗较第 2 代 10 奈米级制程产品低 40%。另外，在 16GB LPDDR4X DRAM 方面，1z nm 制程技术将较 1y nm 制程技术的产品节省高达 10% 的功率。而且，由于 1z nm 制程技术提供的位元密度更高，这使得美光可以降低生产成本，未来使得内存更加便宜。
美光这次的扩厂主因，除了看准未来 5G 时代的市场需求之外，另外就是在日韩贸易战的状况下，有可能使得韩国三星与 SK 海力士的生产遭受影响，导致市场的需求与价格的提升，逐步摆脱先前内存低档的情况，因此才会大动作宣布扩厂。而扩产的当下，未来也预计美光将需要增加人手，进一步进行大规模征才的动作。
https://finance.technews.tw/2019/08/26/micron-more-investment-in-taiwan/