1.原文连结：
三星拟于2021年推新芯片制造技术GAA　提高芯片效能35%、能耗降低50%
http://bit.ly/2HjF9o9
2.原文内容：
三星电子(Samsung Electronics)将在2021年推出突破性的闸极全环(Gate-All-Around；
GAA)技术。GAA对最基本的电子元件进行根本性改造，能将芯片效能提高35%，同时将功耗
降低50%。
根据CNET报导，三星于5月14日在三星晶圆代工技术论坛(Samsung Foundry Forum)上表示
，GAA技术能重新塑造芯片核心电晶体，使其更小更快。2021年采用GAA技术的芯片问世时
，将成为三星与英特尔(Intel)和台积电竞争的利器。
顾问公司International Business Strategies执行长Handel Jones表示，三星在材料上
的研究成果正在取得成效。三星在GAA方面领先台积电约1年，英特尔约2~3年。
三星的进步将延长摩尔定律(Moore's Law)的适用期，至少在未来几年内，消费者可期待
出现更好的绘图处理技术、更智慧的人工智能和其他运算方面的改进。
三星晶圆代工业务行销副总裁Ryan Lee在活动上表示，GAA将标志着三星代工业务进入新
时代。三星正在改进7奈米制程，但GAA将让三星将电路缩小到3奈米。首批3奈米行动芯片
将于2020年进行测试，2021年量产。而效能更高的芯片，如GPU和资料中心的AI芯片的3奈
米版本应会在2022年量产。
Lee预测，GAA改进将实现2奈米制程。之后将是1奈米的未来技术。他确信将有低于1奈米
的新技术，虽无法确定是什么样的结构，但肯定会出现。
三星的5奈米芯片可望在2020年上市，现在已能开始制造原型。该公司已发布早期生产工
具，客户也能开始设计及将有芯片调整为3奈米。
3.心得/评论：
三星为了追赶台积电，除了日前宣布5奈米制程研发完成后，并且逐渐推进到4奈米、3奈
米制程，更集中火力于GAA等技术开发，而GAA被视为接班FinFET的次世代技术，业界多认
为14奈米~5奈米将采用FinFET，4奈米之后将开始应用GAA技术。