1.原文连结：
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2.原文内容：
三星2017~2018两年半导体资本支出468亿美元 等于英特尔 + 台积电
三星于2017年与2018年的两年半导体资本支出为468亿美元，几乎与英特尔加上台积电于
这两年两家公司相加总的资本支出484亿美元相当。这的确让人非常惊讶。
三星将在2018年再次成为IC供应商的最大资本支出的厂商。2017年三星半导体的资本支出
为242亿美元，IC Insights预测三星于2018年的支出虽然略微下滑，但仍保持在226亿美
元的水准。
从历史资料得知，三星半导体资本支出从2010年开始是超过100亿美元的第一年，一直到
2016年的七年间，平均每一年资本支出为120亿美元。但是随着半导体逐步进入12吋晶圆
以及10奈米制程之后，2017年的资本支出开始上升一倍以上。为了保持竞争力以及强化人
工智慧来临的芯片时代，2018年又维持强劲的资本支出，这的确令人吃惊。
IC Insights认为，三星2017年和2018年的大规模资本支出将在未来产生深远影响。已经
产生的第一个影响是3D NAND快闪存储器市场的产能开始过剩。这种产能过剩的情况不仅
归因于三星对3D NAND快闪存储器的巨额支出，还包含吸引竞争对手，包含：SK海力士、
美光、东芝与英特尔的加码，因为他们都不想成为下一波淘汰的一员。
随着DRAM和NAND快闪存储器市场在2018年前三季出现强劲成长，SK海力士于2018年的资本
支出增加。在2018年第一季，SK海力士计划2018年将其资本支出增加至少30%。到11月，
IC Insights预测SK海力士的资本支出将增加58%。SK海力士于2018年增加的支出主要集中
在两个大型快闪存储器晶圆厂，分别是韩国清州的3D NAND快闪存储器晶圆厂，以及中国
无锡DRAM晶圆厂的扩建。清州工厂将在2018年年底将开始运作，而无锡工厂也计划在2018
年年底前运作，比先前计画的2019年初还要早几个月。
总体而言，IC Insights预测今年(2018)半导体产业的资本支出总额将成长15%至1071亿美
元，这是该行业首次年度资本支出突破1000亿美元。可是2019年半导体资本支出将反转下
降12%。
鉴于目前快闪存储器市场的疲软，预计这情况将延续至少三季至2019年上半年，三大供应
商三星、SK海力士和美光的总资本支出预计也将从2018年454亿美元下降至2019年为375亿
美元，下降17%。
总体来说，预计今年前五大厂商将在2019年削减14%的资本支出，其余的半导体厂商将下
降7%。
3.心得/评论：
IC insight预测2019年大厂牌都会削减在半导体产业的支出。三星在2017年及2018年大规
模的资本支出也影响了3D NAND的产能过剩。