1.原文连结：
为NAND架构闹翻？英特尔，美光将拆伙研发？
http://bit.ly/2Dfu04g
2.原文内容：
英特尔（Intel）和美光（Micron）合作研发 NAND Flash 多年，8 日宣布准备拆伙，将
在完成第三代 3D嘅AND 研发之后，正式分道扬镳。
Anandtech、Barronˋs 报导，英特尔和美光 12 年前成立合资公司 IM啫lash糍echnolog
ies，发展 NAND。英特尔资助研发成本，并可分享 NAND 销售收益。不过两家公司 NAND
策略迥异，英特尔的 NAND 几乎全用于企业市场的固态硬盘（SSD）。美光除了贩售 SSD
、也供应 NAND Flash 芯片。
目前两家公司的 3D NAND 制程，进入第二代，可堆叠 64 层，正在研发第三代，预料可
堆叠 96 层，预计在 2018 年底、2019 年初问世。此一制程之后，英特尔和美光将各走
各的路。
Anandtech 猜测，也许是 NAND 堆叠层数破百之后，需要调整 String Stacking 的堆叠
方式，两家公司对此看法不同，因而分手。另一个可能是，目前 3D NAND 的生产主流是
电荷储存式（Charge trap） ，三星电子等都采用此一方式，英特尔／美光是唯一采用浮
闸（floating gate）架构的业者。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但
是此举等于坦承失败，代表从 2D NAND 转换成 3D NAND 后，续用浮闸是错误决定，因而
闹翻。
值得注意的是，两家公司仍会继续共同研发 3D XPoint 内存，此一技术被誉为打破摩
尔定律的革命技术。
（本文由𠮶oneyDJ新闻ē蓝v转载；首图来源：科技新报）
3.心得/评论：
刚听记者在报导
英特尔有意 携手中国紫光
以换取庞大的中国 资料市场
中国，英特尔 各取所需
（一有钱没技术 一有技术要钱钱）
预计几年后的内存市场 将腥风血雨
XD