[其他] 半导体设备资本支出2017年估达809亿美元、晶圆代工28%、快闪存储器24%
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根据IC Insights分析，半导体设备资本总支出2017年预计超过809亿美元，其中28%将用
于晶圆代工(foundries)、24%用于NAND快闪存储器设备升级、16%用于DRAM/SRAM、14%用
于微处理器(MPU/MCU)、9%用于逻辑模组、9%用于Analog及其他。
从2017年设备支出成长来看，DRAM成长最大，预估有53%成长；而且DRAM价格自2016年第
三季开始上涨，今年(2017)主要产品类型的资本支出预计DRAM / SRAM涨幅最大。也就是
说，随着DRAM价格自2016年第三季以来大幅上涨，DRAM厂商再次扩大设备的支出。
尽管大部分支出主要用以推进技术，但DRAM制造商SK Hynix最近认为仅靠技术进步无法满
足需求，而是需要开始增加晶圆产能。
即使今年DRAM支出大幅增加，2017年快闪存储器的资本支出（约合190亿美元）仍明显高
于DRAM / SRAM类别（130亿美元）的支出。
2017年三星电子(Samsung Electronics)同步启动DRAM、3D NAND及晶圆厂扩产计画，预计
资本支出上看150亿～220亿美元，远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规
模。其中，三星在韩国平泽市( Pyeongtaek )的新晶圆厂生产3D NAND。
韩国第二大芯片制造商SK海力士，计划在韩国忠清北道省清州市的第二生产基地建造一条
新的3D NAND产线，预期2017年7月兴建，2019年开始营运。SK海力士在2015年开始开发
3D NAND芯片，大约落后三星电子两年。
东芝计划将投入17.5亿美元兴建新3D NAND快闪存储器生产基地。新厂房将在2018年中完
成，晶圆厂将在2018年底开始生产第一批3D NAND晶圆片，而晶圆厂将会在2019年开始量
产。
目前三星在全球NAND内存市占为36.7%，东芝以17.2%排行第二，美国威腾电子和SK海力
士则分占15.5%和11.4%。
IC Insights认为，2017年快闪存储器的资本支出都将主要投入3D NAND处理技术。2016年
快闪存储器部分的资本支出涨幅达23％后，预计将在2017年实现33％的成长。然而，依据
过去记忆市场的先例显示，太多的支出通常会导致产能过剩及随后的定价压力。
随着Samsung、SK Hynix、Micron、Intel、Toshiba/Western Digital/SanDisk和
XMC/Yangtze River Storage Technology都计划在未来几年内大幅提升3D NAND快闪记忆
体容量（新的中国制造商可能进入市场）。因此，IC Insights认为未来随着3D NAND快闪
内存市场需求而纷纷扩厂，也将面临产能过剩的风险。
台湾方面，台积电明年(2018)公布3奈米投资计画，由于预期台积电领军扩大在台投资，
具有相当优良的群聚效应，包括德商默克（Merck）、美商科林研发（Lam Research）、
美商应材及日商艾尔斯（RSTechnologies）及荷商艾司摩尔（ASML）等都加速在台布局，
锁定台积电5奈米以下，甚至备受瞩目的3奈米先进制程留在台湾逾5,000亿元的投资商机
。
心得:
中国大陆大力扶植半导体的发展也是半导体不可忽略的主要诱因，目前虽然落后台湾一个
世代的技术，但是可以预期未来也将积极提升先进制程技术。