1.原文连结：
http://www.appledaily.com.tw/appledaily/article/finance/20170829/37763363/
2.原文内容：
刘焕彦、刘利贞╱综合外电报导】全球记忆芯片龙头韩国三星电子（SAMSUNG）未来3年规
划投资约70亿美元（约2111亿元台币），扩大中国西安厂NAND Flash（储存型快闪存储器
）产能，以因应中长期需求持续看涨；申报资料显示，三星周一已批准其中1笔23亿美元
初期投资支出。
扩大中国西安厂
三星在申报文件中表示：“这笔投资的目标是为了满足NAND Flash产品在中长期持续成长
的需求。”但三星不愿透露西安厂产能可望因此提高多少。
三星7月初宣布将在韩国投资至少21.4兆韩元（约6216.7亿元台币），用以扩增记忆芯片
与新一代手机面板产能，当时已表示计划增设西安厂产线，惟未决定投资金额。
关于21.4兆韩元用途规划，包括在2021年前在韩国平泽市的新NAND厂投资14.4兆韩元
（约4183亿元台币）。这代表三星未来5年共将砸下近6300亿元台币庞大金额，打造全球
最大记忆芯片帝国，可望把海力士、东芝半导体与威腾电子等对手都抛在脑后。
市场研究机构IHS最新统计数据显示，第2季三星全球NAND Flash市占率高达38.3%。
NAND记忆芯片用于智慧手机、记忆卡、随身碟到连网家电等几乎所有电子装置，且除了NA
ND，三星同时也是全球最大DRAM（动态随机存取内存）制造商。
随着记忆芯片需求水涨船高，三星第2季营业利益再创新高，三星已预期这股趋势本季可
望持续。
3.心得/评论：
西安已是许多半导体设备商聚落 加上兵马佣加持
三爽持续在西安扩充内存产线 是否会重启产能过剩的历史.........
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