[新闻] 群联双响炮 H1、Q2获利齐登顶

楼主: joshman (josh)   2017-08-11 19:47:59
1.原文连结:
http://www.chinatimes.com/newspapers/20170811000246-260206
2.原文内容:
快闪存储器控制IC厂群联电子(8299)昨(10)日董事会通过2017年上半年合并财务报表
,受惠于NAND Flash需求强劲供给短缺、策略性产品组合优化,其中工业及车用等嵌入式
应用产品比重提升,带动群联2017年第2季获利再缔新猷,并交出亮丽的半年报成绩。
群联上半年合并营收达200.48亿元,合并毛利率30.23%,合并营业净利35.98亿元,合并
本期综合净利总额为29.43亿元,累计上半年每股税后盈余14.57元,改写历史新高纪录。
一年一度全球最大规格之快闪存储器技术盛会“2017年快闪存储器高峰会”(FMS),本
周于美国圣塔克拉拉(Santa Clara)登场,开幕首日展览现场因他厂遭祝融而关闭展区
,虽影响多家厂商活动,所幸群联未受波及。群联电子多项最新产品及技术之FMS发表会
照常且顺利举行。
新产品发表方面,包括UFS、SSD等产品皆推出符合3D NAND制程之快闪控制高阶新芯片,
包括符合UFS 2.1高速双通道规范的PS8313、以及PCIe G3x4 以及SATA III两种SSD规格的
最高阶8通道快闪控制芯片PS3112-E12以及PS3112-S12。在次世代技术发表方面,领先国
际大厂推UFS 3.0规格技术设计为主题。
智慧型手机的旗舰机种设计正导入5G高速行动网络、8K4K高画质多屏串流等技术,高阶记
忆体技术规格也悄然进入UFS时代。UFS规格目前正逐步取代eMMC规格,成为智慧型手机嵌
入式内存、SD记忆卡的高速接口标准。
UFS 2.1已成为高通(Qualcomm)、海思(HiSilicon)等旗舰智慧型手机芯片设计厂积极
导入支援的新规格,同时也是各国际手机品牌厂作为次世代旗舰机种储存设计的首选技术

(工商时报)
3.心得/评论:
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