1.原文连结：
http://technews.tw/2017/07/28/3d-nand-excess-dram/
2.原文内容：
作者 MoneyDJ | 发布日期 2017 年 07 月 28 日 9:30 | 分类 芯片 , 零组件 follow
us in feedly
内存进入制程转换，产能大减，从去年下半到今年上半以来，DRAM 均价飙升 17%、
NAND 均价攀涨 12%，难怪业者无不撒钱扩产。但是 IC Insights 警告，过度投资恐怕会
导致产能过剩。
韩媒 etnews 报导，韩国内存大厂 SK 海力士（SK hynix）26 日表示，今年将斥资
86.1 亿美元（约 9.6 兆韩圜），进行设备投资。此一金额比年初宣布数字高出 37%，
也比该公司去年的设备投资总额高出 53%。
SK 海力士撒钱，是想让新厂提前完工。该公司主管 Lee Myung-young 说，生产 DRAM 的
中国无锡厂和生产 NAND Flash 的韩国清州（Cheongju）厂，原定完工时间是 2019 年上
半，如今将提早至 2018 年第四季，比预定时间提早半年。
SK 海力士强调，新厂落成后，内存产出不至于暴增，估计 DRAM 和 NAND Flash 产能
只会增加 3~5%，呼吁市场放心。业界人士认为，这是因为资金多用于技术升级。
然而内存业者大手笔投资，仍让 IC Insights 忧心忡忡。该机构 18 日新闻稿称，记
忆体以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK 海
力士、美光、英特尔、东芝 / SanDisk、武汉新芯（XMC） / 长江存储（Yangtze River
Storage）都大举提高 3D NAND Flash 产能，未来可能还有中国新业者加入战场，3D
NAND Flash 产能过多的可能性“非常高”（very high）。
此外，DRAM 和 NAND 的价格涨势也逐渐放缓（见下图）。尽管 DRAM 均价涨势在 2016
年第四季触顶，但是直到 2017 年 Q2 仍表现强健。IC Insights 估计，今年 Q3 DARM
均价将略为上扬，Q4 则微幅下跌，代表 DRAM 上升循环告终。
https://i.imgbox.com/hBiZreTD.png
3.心得/评论：
唐·王勃《滕王阁序》:“胜地不常，盛筵难再。”
宋·晁补之《梁州令叠韵》:“好景难常在，过眼韶华如箭。”
便宜的在海上，更便宜的还在生产线上～