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2.原文内容：
之前外资曾警告，DRAM荣景能否持续，取决于内存龙头三星电子，要是三星扩产，好景
恐怕无法持续。如今三星眼看DRAM利润诱人，传出决定扩产，新产线预计两年后完工。
BusinessKorea 15日报导，三星电子决定砸下10兆韩圜(87亿美元)，扩充韩国华城厂
(Hwaseong)的DRAM产能。三星人员表示，新产线约需两年时间建造，将视研发进度和制程
转换良率，决定生产18奈米制程DRAM，或更先进制程的DRAM。
半导体市场变化快速，新厂生产商品常到落成时才拍板定案。以华城厂17号线为例，此一
产线原本预定制造系统半导体，但是后来改用于生产内存。三星也在韩国平泽厂
(Pyeongtaek)竣工后，才决定平泽厂六月启用时，将生产NAND Flash。
三星电子代表说，三星DRAM的毛利率超过45%，尽管三星产品售价高，但是由于品质出众
，优于竞争对手，在市场供不应求。三星是内存霸主，去年在全球DRAM市占高达48%。
15日三星电子上扬0.10%收在2,070,000韩圜。受到三星扩产消息冲击，内存大厂SK海力
士跳空重挫2.98%收在48,800韩圜。
巴伦(Barronˋs)2016年9月23日报导，内存市场还能热多久？Bernstein Research的
Mark Newman说，一切要看三星。
Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014
、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时
三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等闲置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应
求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。
报告指出，未来几个月，DRAM类股仍会有好表现。不过供给紧俏、三星有巨大成本优势，
又有闲置厂房可提升产能，预期三星可能会增加3D NAND和DRAM产出。
另一外资也警告，厂商砸钱增产，DRAM和NAND Flash的毛利率可能会在2017年年中触顶。
巴伦(Barronˋs)今年2月7日报导，Susquehanna Financial Group的Mehdi Hosseini表示
，内存业者的资本开支超过50亿美元，是毛利触顶的预兆，2013年第4季和2015年Q1/Q3
都是如此(图表见此)。该行估计，2017年Q1、Q2内存业的资本开支都高于50亿美元门槛
；由此看来，2017年毛利率可能会在年中或年末触顶。
Hosseini警告，苹果采购完iPhone 8所需的内存之后，相关需求可能骤减。报告称，今
年下半NAND供给将转为宽松，主因48层NAND制程加速转往64层，而且三星平泽
(Pyeongtaek)厂也启用。与此同时，Kingstom等模组厂的库存增加至6~8周水位，打算趁
著苹果iPhone 8下单NAND时，推升实际销售。
3.心得/评论(必需填写满20字)：
终于来了
内存利空消息出来了
一哥三星决定扩产
类股的走势即将告一段落吗?