1.原文连结(必须检附)：http://goo.gl/fMf6GV
2.原文内容：
受到第三季进入旺季需求带动，内存、面板等关键零组件皆终止长期价格颓势，集邦科
技旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，内存在笔电需求回温、智慧型手机延续强
劲成长态势、与服务器需求增温带动下，DRAM与NAND Flash第四季价格预计将同步上扬，
特别是DRAM合约价第四季估将再涨逾一成。
由于今年中国品牌智慧型手机表现超乎预期，服务器出货也受惠于中国数据中心需求增温
，下半年台系服务器代工厂订单与较上半年平均成长近两成，促使DRAM原厂自第二季开始
大幅调升行动式Mobile DRAM与服务器DRAM的产出，并调降标准型DRAM出货。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，今年第四季Mobile DRAM出货比重将逼近45％，伺服
器DRAM出货比重突破25％，标准型DRAM则仅剩不到20％。
然而，从笔电的市况来看，第三季北美地区笔电需求增温，如惠普与戴尔出货季成长皆超
过8％，造成标准型DRAM供不应求，4GB DDR3/DDR4模组合约均价终于止跌回稳并站上13.5
美元。在原厂仍维持转进毛利高的Mobile DRAM的策略下，DRAMeXchange预估，第四季标
准型DRAM价格将持续上涨，4GB DDR3/DDR4模组合约价将上看15美元，季涨幅（季均价对
季均价）将达15％，整体获利结构逐步攀升，DRAM市场未来一年都将维持健康供需状态。
Mobile DRAM则持续受惠中国智慧型手机拉货需求，及新一代iPhone备货将在第四季达高
峰，目前已有部分中国大厂与主要DRAM供应商订定的第四季合约涨价超过一成，预期第四
季Mobile DRAM涨幅也将相当可观。
在NAND Flash部分，第三季苹果与中国系统大厂华为、Vivo、OPPO等拉货动能优于预期，
对整体2D NAND Flash产能消耗十分庞大，尤在NAND Flash原厂转进3D NAND速度不如预期
情况下，市场供不应求。此外，企业级固态硬盘（SSD）需求、笔电SSD搭载率快速提升，
同步造成第三季NAND Flash出现产能缺口。
受到上述系统端强大需求，及制程转进不顺的影响，让三星、东芝、SanDisk、美光等供
应商，对模组商的供货水位骤降，模组厂在原厂供货短缺下只能被迫接受涨价。
DRAMeXchange调查显示，截至8月下旬，主流TCL规格128Gb NAND晶圆合约均价已较6月底
涨10％以上。
3.心得/评论(必需填写满20字)：
如果现在买相关类股来放，第4季的时候来卖
请问一下各位适不适合???
还是会被当出货对象???