※ 引述《zxcvb7700 (公园ing)》之铭言：
: 1.原文连结(必须检附)：
: http://0rz.tw/ypzc8
: 2.原文内容：
: 三、台积电坐拥10奈米制程进度顺利、表现优与InFO优势，2017年可望凭借10奈米制程，
: 独吞苹果A11应用处理器订单。四、客户转往10奈米脚步加快，苹果、联发科、海思、展
: 讯等考量高端智慧机竞争激烈，未来均可望加速使用台积电10奈米制程。
以下国外专业媒体对Intel, TSMC, Samsung三家先进制程进度分析,
http://goo.gl/jmHYWB
上网时间: 2016年03月28日
先进制程技术竞赛谁领先？
原文
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1329279
3/24/2016 11:08 AM EDT
Silicon Lacks Clear Metrics
节录部分片段:
节点性能与名称无关？
Gwennap表示，技术节点的传统衡量标准是电晶体尺寸，亦即所测得的最小闸极长度。
然而，归功于市场行销的努力，如今的节点名称不再与闸极测量结果吻合了，“但其
差距也不算太大——英特尔14nm制程的闸极长度约相当于三星(Samsung)的20nm。”
不过，Gwennap说，台积电和三星目前“在速度与密度方面都远落后英特尔的14nm制程，
”以此来看，他认为三星的节点更适合称为17nm，台积电则为19nm。“预计在10nm时的
情况类似...三星与台积电将在速度与密度方面落后英特尔约一至半个节点。”
然而，光是最小闸极长度并不足以决定一切，Chipworks资深研究员兼技术分析师Andy
Wei表示，“定调一项技术是否最优，高度取决于与面积微缩有关的制程成本。而这可
归结为比较布线单元级的技术能力，以及达到该密度所需的成本，Chipworks正是以此
作为基准”。
http://goo.gl/fW0eyL
Linley Group认为，三星可望最先推出10nm制程，但英特尔的表现会更优
（来源：Linley Group）
自从德州仪器(TI)为了如何衡量闸极长度而战，制程节点的命名之争已经持续25年了。
Hutcheson说，TI采用有效闸极长度，而硅谷芯片制造商则以更大的闸极长度作为指标。
在1990年代，当线宽微缩至奈米级时，“新的论据认为闸极长度不再适用，因为蚀刻
削薄而使M1金属级间距成为更适合的标准——不过却仍由闸极长度决定性能。”
其后，台积电宣称其40nm制程比英特尔使用的45nm节点更好，但除了“更好”似乎也没
提出任何指标，Hutcheson指出，“从那时起，就一直有点像是‘各自表述’一样。例如
，Globalfoundries的32nm和28nm之间真正的差异是32nm是SOI制程，28nm则是bulk制程
。”
台积电已经明确表示其16nm制程采用20nm的后段制程技术——FinFET电晶体层叠于顶部。
在最近于圣荷西举行的会议，台积电表示，其7nm节点将会较其10nm制程密度更高1.63倍
，Chipworks的Wei说，“这使得2种尺寸微缩0.7倍的性能提高还不到2倍，而节点名称
微缩了0.7倍。”
“市场行销元素强烈影响节点的命名，而且着眼于顶级规格，但设计工程师知道他们所
选择的技术优点，”Jones表示。毕竟，“只要制程技术快速、低功耗且低成本，那么
怎么称呼都不重要。”