1.原文连结(必须检附)：
http://n.yam.com/prnw/fn/20150709/20150709143171.html
2.原文内容：
中微出货于韩国领先内存制造商用于3D VNAND快闪存储器制程的先进蚀刻机
美通社-2015年07月09日 上午09:28
AD-RIE?（中微单反应台电浆蚀刻设备）已出货于韩国领先的内存制造商。 Primo SSC
AD-RIE?
是中微公司目前最先进的介电质蚀刻设备，可用于1X纳米关键蚀刻制程芯片加工。 在此
之前，中微的 Primo SSC AD-RIE?
已在韩国的16纳米最关键的蚀刻步骤上实现大批量生产。 这台出货的设备将在客户最先
进制程的 3D VNAND 试生产线上投入运行。
行动电子产品的飞速发展、以及大数据、社交传媒的广泛应用，使得人们对内存的存储
容量和读取速度提出了更高的要求。 当前一代的 2D NAND
制程很快将无法满足不断升级的需求。3D VNAND 代表了下一代先进技术制程，中微的客
户正是技术进步的领跑者。 像存储故障、微影技术的局限性等问题使在 2D
NAND 制程层面很难继续向下一代制程节点过渡，3D VNAND 则能解决这一难题。 3D
VNAND
带来的好处还包括提高存储容量和读取速度，提升功率效能和可靠性，并降低生产成本。
“认识到 3D VNAND 快闪存储器技术是存储技术的未来，我们在研发上投入了大量的人力
和物力，与客户紧密合作，开发用于这种高端制程技术所必需的蚀刻技术。
”中微副总裁兼关键内存及逻辑产品客户总经理 KI Yoon 说道：“能够在这家领先客
户的 3D VNAND 试生产线上占有一席之地是对我们长期努力的肯定。
另外，在这个只有少数一线蚀刻设备供应商高度竞争的领域，我们相信，我们的制程品质
和面对严峻技术挑战的快速反应能力使我们赢得了订单。
我们很高兴也很自豪，能够为这一重要客户开发这项制程。”
Primo SSC AD-RIE 是采用高抽气率，低压，高能脉冲电浆的手段为高深宽比蚀刻而开发
的产品。 这是中微 Primo
蚀刻产品家族中的最新一代产品。 像中微其他所有蚀刻设备一样，Primo SSC AD-RIE 具
备先进的技术水准、超高的生产效率和较低的生产成本。
中微高管将参加下周（7月14日至16日）在美国旧金山举办的美国半导体设备和材料展览
会 SEMICON West。 一年一度的 SEMICON West
展会是全球半导体设备行业精英的重要盛会。
更多关于 SSC AD-RIE 和中微其他设备的资讯，请前往公司网站：www.amec-inc.com
。
关于中微半导体设备有限公司
中微公司致力于为全球积体电路和 LED
晶圆制造商提供领先加工设备和制程技术解?方案。中微通过创新驱动自主研发的电浆蚀
刻设备和硅穿孔蚀刻设备已在国际主要芯片制造和封测厂商的生产线上广泛应用于45奈米
到1X奈米及更先进的加工制程和最先进的封装制程。目前，正在亚洲地区30多条国际领先
的生产线上运行的中微蚀刻反应台已超过400个。中微开发的用于量产
LED 磊芯片和功率元件生产的 MOCVD 设备也已经在中国多条生产线上正常运行。
更多信息请前往公司网站：www.amec-inc.com 。
消息来源 中微半导体设备有限公司
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中国卖最先进的机台给韩国?