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2.原文内容：
晶圆代工龙头台积电（2330）全力冲刺10奈米制程研发，并计画采用新一代极紫外光
（EUV）微影技术，而设备大厂艾司摩尔（ASML）昨（24）日证实，台积电采用EUV机台
NXE:3300B微影系统，成功达到单日曝光超过1,000片晶圆的目标，不但再次刷新EUV微影
系统生产力新纪录，更为EUV微影技术用于先进制程量产注入强心针。
在加州圣荷西市举行的国际光学工程学会（SPIE）先进微影技术研讨会中，台积电研发
处长严涛南指出，台积电近期的一项测试中，成功使用ASML的NXE:3300B极紫外光微影
系统，于24小时内以超过90瓦的稳定光源功率（source power），连续曝光1,022片晶
圆。台积电很满意这项测试结果，而这也看到了ASML的EUV微影系统的潜力。
台积电日前曾表示，希望将EUV微影系统用于量产，可能在10奈米世代就先在部份光罩
采用EUV技术进行曝光。目前台积电已安装2台NXE:3300B极紫外光微影系统，另有2台
新一代极紫外光微影系统NXE:3350B，将于今年完成出货，原先已安装的2台NXE:3300B
也将升级到NXE:3350B的效能。
ASML EUV服务及产品行销副总裁Hans Meiling表示，台积电完成的这项测试结果，不仅
证明NXE:3300B极紫外光微影系统的效能，也让ASML对于在2015年底前达成单日曝光1,000
片晶圆的目标深具信心。ASML将会持续提高光源功率、提升系统妥善率（availability）
，并尽力在各个客户端达到相同的测试结果。
截至今日，ASML已累计出货8台NXE:3300B EUV微影系统，并都已于客户端展现稳定的
效能，跨越单日曝光500片晶圆的门槛，间接证明EUV微影系统已可用于10奈米的试产。
依据ASML与芯片制造商共同规划的EUV微影系统发展进度，2015年底前必须达到单日曝光
1,000片晶圆，2016年底前更必须达到单日曝光1,500片晶圆的生产力，才能符合量产需
求。
台积电共同执行长刘德音日前在法说会中表示，台积电正与客户积极投入10奈米技术研发
，希望今年内会有芯片完成设计定案（tapeout），今年底可完成制程认证，明年开始试
产，2017年进入量产。
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