1.原文连结：
外电
2.内容：
外电报导，全球第二大内存芯片厂SK海力士将增建DRAM新厂，
以满足移动设备发展带来的高端DRAM需求。
法人担心，大厂扩大投资之下，产业可能重启资本战，
台湾DRAM双雄南科、华亚科需谨慎应对。
外电指出，海力士规划，明年将投资至少38亿美元在既有厂房、
维运与技术升级等方面，并将兴建新厂，最快于2015年初量产。
朝鲜商业报导引述知情人士消息，指SK海力士增设二座新DRAM厂，
主要考虑洁净室增加有限，现有M10生产线不足以安装最先进的设备。
华亚科及南科高层透露，DRAM厂推进20nm制程，一定要新增洁净室，
才能维持在切入20nm制程时，仍能保持相当产能，否则总产能会因而下降，
因此SK海力士新增洁净室投资，只能说是计划导入20nm，以迎合更高端产品市场需求。
华亚科和南科高层表示，因20nm制程用洁净室建厂过程需耗时一年多，
DRAM产业短期只有制程微缩，产出速率远低于需求增速，
对明年DRAM价格仍维持平稳且乐观看法。
DRAM市场目前已形成三星、SK海力士与美光等三大集团瓜分的局面。
根据彭博报导，SK海力士第3季DRAM市占率为28.5%，落后于三星的37.1%，
后面又有市占26.2%的美光追赶。
业界分析，SK海力士拜DRAM价格回升，财务转佳，
第3季单季税后纯益缴出9,582亿韩元佳绩，远远优于去年同期，
让SK海力士银弹充裕，明年加大扩大市占的企图。
在SK海力士无锡厂发生火灾前，
DDR3 2Gb DRAM颗粒均价约在1.6美元左右，
传出灾情后，报价一路上扬，据集邦科技最新报价，
DDR3 2Gb DRAM颗粒，目前现货均价约介于2.34美元至2.41美元。
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