1.原文连结：
http://news.cnyes.com/Content/20131025/KHAXBOAGO9A7Q.shtml
2.内容：
华邦电Q3每股赚0.04元 明后年营运将大幅成长
钜亨网记者黄佩珊 台北　　2013-10-25 09:00:15　
华邦电总经理詹东义表示，第3季在产品组合优化，加上制程技术推进效益显现，毛利率
22%，并维持获利。(钜亨网记者黄佩珊摄)
华邦电总经理詹东义表示，第3季在产品组合优化，加上制程技术推进效益显现，毛利率
22%，并维持获利。(钜亨网记者黄佩珊摄)
内存制造厂华邦电(2344-TW)连续2季获利，第3季税后净利为1.37亿元，每股纯益0.04
元，累计前3季每股纯益0.14元。总经理詹东义表示，华邦电拓展中低容量行动内存市
场将开花结果，并将致力生产编码储存快闪存储器，因此，决定扩大产品线，为了因应明
、后年营运成长，董事会核准47亿元资本支出，金额为近今年资本支出24亿元的1倍。
华邦电总经理詹东义在法人说明会表示，华邦电第3季在产品组合优化，加上制程技术推
进效益显现，毛利率22%，并维持获利，税后净利1.37亿元，每股纯益0.04元。累计前3季
合并营收为248.3亿元，税后净利2.16亿元，每股纯益0.14元。
华邦电第3季合并营业为83.09亿元，季减6%；营业毛利率为22%，税后纯益约为1.37亿元
，每股纯益0.04元。累计前3季合并营收为248.3亿元，税后纯益为2.16亿元。第3季各产
品线占营收比例，Specialty DRAM为48%，NOR Flash为41%，Mobile RAM为11%。
詹东义表示，在PC、手机市场需求趋缓及价格竞争压力下，快闪存储器(NOR Flash)营收
较第2季下滑，但58nm Flash产品出货比例增加，占Flash营收比重为46%，有助提升产品
价格竞争力。
在Flash产品方面，将于第4季发表512MB及1Gb Code Storage Flash新产品，以满足客户
需求。而利基型内存(Specialty DRAM)方面，第3季营收表现较上季下滑2%。而46nm制
程产品占营收比重由前季的35%提升至42%，有助于成本结构的改善。
在第3季终端需求不如预期、产业市况有利供给面情况下，Specialty DRAM产品透过产品
优化组合，毛利持续改善。行动内存(Mobile RAM)受功能性手机市场需求疲弱下，营收
衰退。而低耗电记忆(Low-Power DRAM)占行动内存(Mobile RAM)产品线之营收，则由前
3季55%拉升至61%。
3.心得/评论(必需填写)：
利多出尽...跌...嫌赚太少了吗