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抗三星东芝新帝合建内存厂
投资41亿美元 产能跃增2成
【陈智伟╱综合外电报导】
东芝（TOSHIBA）传计划与新帝（SanDisk）合资4000亿日圆（
约41亿美元）在日本兴建NAND flash（资料储存型快闪存储器
）新厂，为近2年最大手笔扩产投资，有助提高产能竞争力，
对抗三星电子（SAMSUNG）。
据《日本经济新闻》报导，东芝将提升新厂制程技术，由目前
19奈米进一步提升至16~17奈米，可从单片晶圆上制造出更多
芯片，预计明年度（2014年4月起）完工投产，估计可扩增总
产能约2成。
高盛忧内存跌价
东芝与新帝原本就具有合资事业，合作生产NAND flash，此次
也将共同负担建厂费用，新厂将座落在日本三重县四日市。
东芝升级扩张NAND flash产能，有助于提高对三星的竞争力。
三星有意趁半导体景气强劲复苏，化解智慧手机成长疲弱趋势
，7月底宣布将加码今年资本支出逾1兆韩元（9亿美元）至24
兆韩元（215亿美元），内存是其中一大重点。
不过，消息传出后，高盛（Goldman Sachs）调降新帝投资评等
，担心产能扩张恐带动内存价格走跌，拖累新帝周一收盘下
跌1.5%，东芝周二则上涨1.4%收高，今年来涨幅扩大至27.6%。
日企提高资本支出
日本企业响应首相安倍晋三扩大投资、共同振兴经济呼吁，近
来纷纷扩大资本支出，日本汽车业龙头、最大出口商丰田汽车
（TOYOTA）日前宣布将提高今年度资本与研发支出10%。
据日本国有日本开发银行（Development Bank of Japan）调查
，日本主要大型企业今年度（2014年3月底止）计划提高资本支
出10.3%，增幅较去年度2.9%大幅提高。
据日本开发银行统计，不仅制造业计划增加今年支出达10.6%，
非制造业包括交通、房地产、量贩与零售业等，更积极扩大支
出，预估较去年度增加10.1%，为22年来非制造业支出首见2位
数成长。
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打得赢三星新技术3D V-NAND吗？