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ides13 (juso)
2025-07-20 22:59:512023年版第四章 发明单一性的2 - 4 - 11页，有一个案例如下。
例 3.
〔申请专利范围〕
1.一种半导体随机存取内存装置，其特征在于将具有由第一金属绝缘层-半导体（metal
–insulator–semiconductor, MIS）元件，采用此第一 MIS 元件之汲极及源极领域之任
一领域作闸、且于前述第一 MIS 元件之上部叠积形成的第二 MIS 元件，……配置成矩阵
状的内存阵列，将资讯线（D1）配线于内存存格间使内存阵列直交于感线（S1）及
字线（W1）而成者。
2.一种 MIS 型半导体装置，其特征在于由被形成于半导体基板之一主面上的第一 MIS 元
件、与采用此第一 MIS 元件之汲极及源极领域之任一领域作闸，且于前述第一 MIS 元件
之上部叠积形成的第二 MIS 元件而成者。
〔假设〕
就先前技术而言，请求项 1 之“半导体随机存取内存装置”具有新颖性及进步性。
〔说明〕
请求项 2 之“MIS 型半导体装置”为请求项 1 之“半导体随机存取内存装置”的构成
元件之一，请求项 1 包含请求项 2 之内容，请求项1、2 均具有“第一 MIS 元件之汲极
及源极领域之任一领域作闸，且于前述第一 MIS 元件之上部叠积形成的第二 MIS 元件”
之相同的特别技术特征，故申请案具有发明单一性。