今年8月 18A的D0<0.4的时候，良率就超过99%了。
Dr. Ian Cutress在twitter po的图
https://i.imgur.com/is8kB82.jpeg
是的，2.25mm2的chip。这跟gg喜欢玩sram的良率是一样的意思。
https://i.imgur.com/V8AdS1q.jpeg
良率这种东西，本来就是越大颗良率越低，所以业界普通是用defect density(D0)来沟通的。
昨天，n2号称6成良率，那6成的什么东西？
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1680811
普通来讲，是手机芯片尺寸，那就是100mm2。D0大概就是0.4。
量产的时候D0<0.1才可以，那样100mm2的良率才能够达到90%以上。
0.4到0.1普通来讲要一年，所以n2大概跟n3一样要12/31日量产。
所以明年苹果手机不用n2的新闻才传出来。
18A时程早n2半年是没问题的。问题是性能，价钱，产能，其它...
前两天，UBS的conference有请到Zinsner跟Naga Chandrasekaran
https://seekingalpha.com/article/4742201-intel-corporation-intc-ubs-global-technology-and-ai-conference-transcript
Chandrasekaran是Pat从美光挖来。从他的谈话，你就知道IFS的重点在那，Intel在技术上是没问题的，但在配合客户需求上有极大改良的空间。还有Fab的良率要持续改良，不能像以往Intel往下个node迈进，前一个node就放掉，那是心态跟文化的调整。
补充一下，Intel 3的良率跟性能很好，本来arl-u只有少数是用Intel 3，但现在看来是全部用，arl-h用n3b不变。Intel 4到Intel 3的改良真的很可观。