3D V-Cache 改放 CCD 下方 散热大解放
原文转自 HKEPC
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【AMD X3D Yes 】Wccftech 取得了一张 Ryzen 7 9800X3D 的独家开盖照片，证实了第二
代 3D V-Cache 的传闻。新一代的 3D V-Cache 不再放置在 CCD 的表面，而是改为放在 CC
D 的下方，这一改动大大提升了 9000X3D 的散热表现，使性能得到了重大突破。
据了解，以往的 3D V-Cache 使用了 TSMC 的 SoIC 技术，通过透过 hydrophilic Dielect
ric-Dielectric Bonding 与 Direct CU-CU bonding 技术直连与 CCD 芯片直接连接。
由于 3D V-Cache 芯片位于 CCD 的上方，影响了散热效果，因此具备 3D V-Cache 的 Ryze
n X3D 处理器在 TDP 规格和 CPU 时脉上都会低于非 X3D 型号。
新一代 3D V-Cache 的设计中，Cache 芯片已改放在 CCD 的下方，因此显著提升了 9000X3
D 型号的散热表现。新一代的 9800X3D TDP 规格提升至 120W，核心时脉亦提升至 4.7GHz
Base Clcok、5.2GHz，绝对令人期待。
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