前言:
最近稍微闲下来可以发一些文，只讲一些自己觉得是重点的，有些对我来说很直觉，讲解可
能不够清楚，有疑问或者错误的话欢迎提出，我会尽自己所能替大家解答。
所有厂家都讲的话会过于混乱，实际操作及讲解会以MSI的主机板、Intel 12代后的CPU及DD
R5 UDIMM为主，其他请大家自行类推。
本篇文章默认你已经知道内存基本工作原理、DDR4细节等相关知识
警语: 本篇文章会有点晶晶体，有些词汇我不知道怎么翻译也不喜欢中文翻译的结果，索性
以原文解说。
一. DDR5 VS DDR4
1. 电压
最大的改变就是由VR on Board变成VR on DIMM
电源主控Power Management IC(PMIC): 有三种模式分别是Security, Program和OC mode，
针对VDD、VDDQ、VPP有不同的限制，以Security mode来说是1.1/1.1/1.8，MSI的主板设定
是只要有变动电压就会固定在Program mode。
还有一些电压细项变化简单提一下，例如D5的Core/ IO变成吃VDD/VDDQ，以往在D4上都吃同
一个VDD。
Vref跟VTT应该是改做成internal，这两个电压分别对应command adress跟终端pull up电阻
。
那到了实务面发生什么变化？以往D4上VDD、VrefCA、Vpp、VTT等电压都是由主机板提供，
但到了D5主机板只从24pin提供了5V给PMIC，其余DRAM使用的电压都是从PMIC转出来的
以上这些的好处是什么呢？主要就是线路更近可以更精确的控制、tolerance更小，相对的
因为PMIC整体温度也高了一点点。
2. Channel
在D4的时候是一根64-bit，D5变成32+32-bit，这也是为什么在2 DIMM的情况下CPU-Z会显示
Quad(4*32-bit) ，看到这边可能有人认为这样是不是插2根就等于四通道？
个人认为这点跟内存控制器的 双/四通道是不能直接相提并论的，或者是说从根本上的定
义就跟过往大家理解的双通道是不一样的。
https://i.imgur.com/oamGhbQ.jpeg
3. On-Die ECC
这点很好理解，速度变快资料错误率自然也高一点，所以需要On-Die ECC来纠错，所有出来
的资料都是ECC纠错完的结果。要注意的是On-Die ECC跟Sideband ECC是不同的，以UDIMM来
说D4和D5都是不支援的。
4. Same Bank Refresh (SBR)
在一个Bank Group里面，只要有一个Bank还在刷新其他Bank就需要停下来等那个Bank刷新完
才能继续，SBR可以让同一个Bank Group里的Bank不需要等待那个正在刷新的Bank，可以继
续存取资料
5. Mirror Pin/Swap Pin
主要是针对Dual-Rank DIMM，以往在D4上的双面颗粒会是非对称的，在D5上使用了Mirror P
in，双面的颗粒Pin变成可以对称的接线，这样好处在哪里呢?很直观的就是线长变短，讯号
自然更好也就更好超，单双面落差不会像以往那么大。概念如图，Pin是我随便标的，但概
念上就是这样减少线长。
https://i.imgur.com/ACwFylJ.jpeg
6. Die
D4时期的明星选手是Samsung B-Die，到了D5的话目前Hynix M-Die和A-Die表现最好，据“
小道消息”称，Samsung B-Die那个团队似乎被挖角到Hynix去了。
二. 主机板Layout
DRAM讯号主要有Data、CMD/ADDR、CTL跟CLK，这边说的主机板Layout是针对Data，后面三种
基本上都走Daisy Chain，这边的基本概念是对于讯号来说线长越短且越完整越好
2 DIMM: 就是直接拉两条
4 DIMM分两种:
1. T-Topology: 会拉到中间然后再分支出去，好处是同样通道讯号两根可以等长，
但如果只插两根双通道就会有多余的线长，自然对讯号就比较不利。
2. Daisy Chain: 会先接到第一支再延伸出去，好处是对于两根双通道来说讯号会
比较完整、线路不会有冗余，但如果插满四根就会同样通道线长不等长，当然就比较难超。
两根超频: 2 DIMM > Daisy Chain > T-Topology
四根超频: T-Topology > Daisy Chain
MSI来说的话在Z390跟之后就都是Daisy Chain，目前主流4 DIMM板几乎都是Daisy Chain
https://i.imgur.com/DFR6nWJ.jpeg
以上，这些是我觉得比较基础需要知道的部分，基本上是想到什么写什么，可能比较杂乱还
请各位见谅
预计还会有两篇进阶知识和实际操作篇