https://technews.tw/2023/03/20/sk-hynix-demonstrates-300-layer-stacked-3d-nand-flash-prototype/
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在日前的第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，韩国内存大厂 SK 海力士
展示了最新300 层堆叠第 8 代 3D NAND Flash 快闪存储器的原型，令与会者大吃一惊。
SK 海力士在会议在发表会的标题订为 “高密度内存和高速接口”，其中描述了该公司
将如何提高固态硬盘的性能，同时降低单个 TB 的成本。预计，新的 3D NAND Flash 快
闪内存将在两年内上市，并有望打破记录。
根据外媒报导，SK 海力士揭示了具有更快资料传输量和更高储存等级的第 8 代 3D
NAND Flash 快闪存储器的开发。而新的第 8 代 3D NAND Flash 快闪存储器将提供 1 TB
（128 GB） 存储容量，具有 20Gb/mm2 单位容量、16KB 单页容量、四个平面和 2400
MT/s 的接口。最大资料传输量将达到 194 MB/s，相较上一代 238 层堆叠和 164 MB/s
传输速率的第七代 3D NAND Flash 快闪存储器高出 18%。而在更快的输入和输出速度下
，有助于 PCIe 5.0 x4 或更高的接口利用率。
而根据 SK 海力士研发团队的说法，第 8 代 3D NAND Flash 快闪存储器采用了 5 项崭
新的技术。首先，三重验证程式 (TPGM) 功能可缩小单元阈值电压分布，并将 tPROG （
编程时间） 减少 10%，从而转化为更高的性能。其次，采用 Adaptive Unselected
String Pre-Charge (AUSP) 技术，再将 tPROG 降低约 2% 。第三，APR方案可将读取时
间降低约 2%，并缩短字线上升时间。第四，编程虚拟串 (PDS) 技术可借由降低通道电容
负载来缩短 tPROG 和 tR 的界线稳定时间。最后，平面级读取重试 (PLRR) 功能，允许
在不终止其他平面的情况下，更改平面的读取级别。之后，立即发出后续读取命令，并提
高服务质量 (QoS)，从而提高读取性能。
报导强调，由于 SK 海力士针对新产品还在开发中，因此该公司尚未透露生产最新一代
3D NAND Flash 快闪存储器的量产时间。尽管如此，分析师仍预计该公司最早会在 2024
年出现变化，最迟在 2025 年出现。