狼窝好读版：
https://wolflsi.pixnet.net/blog/post/69964956
EVGA 1000 G6特色：
●14公分短机身设计，足瓦1000W输出，80PLUS金牌认证转换效率，节省电能消耗，降低
废热产生
●全模组化设计，采用黑色编织网包覆及带状模组化线路，安装便捷，整线轻松
●处理器12V供电提供2组EPS 4+4P接头，支援Intel/AMD最新处理器/主机板平台，相容
ATX12V V2.52、EPS12V、ErP Lot 3 2014标准
●采用APFC主动功率因子修正及LLC谐振架构，单组12V输出，搭配3.3V/5V/-12V DC-DC转
换设计，使12V可用功率最大化，并改善各输出电压交叉调整率，同时维持低涟波噪声及
良好电压调整率
●采用静音FDB轴承13.5公分风扇，使用者可开启/关闭ECO智慧节能温控模式，开启ECO后
低负载输出下风扇自动停转，兼顾静音及高效散热
●100%全日系电容，加强可靠度及耐用度，保证50℃下足瓦连续输出能力，并提供十年产
品保固
●提供OCP、OVP、UVP、OPP、SCP、OTP完整保护
EVGA 1000 G6输出接头数量：
ATX24P：1个
EPS 4+4P：2个
PCIE 6+2P：8个
SATA：12个
大4P：4个
小4P：1个(由大4P转接)
▼直立式印刷的外盒正面左上有商标，左侧有产品名称，下方有80PLUS金牌及输出功率
https://i.imgur.com/8NV4IPA.jpg
▼直立式印刷的外盒背面有产品名称、产品简介、多国语言特色介绍、135mm FDB轴承静
音风扇/全模组化设计的图片、ECO模式负载百分比对应风扇转速图表、输出接头/线组数
量表、输入/输出规格表、官方网址、厂商联络资讯、安规认证标章
https://i.imgur.com/hu07u15.jpg
▼外盒左/右侧面有商标、产品名称、中文繁体/简体说明贴纸
https://i.imgur.com/nAkM4nM.jpg
▼中文繁体/简体说明贴纸近照，上面有产品特色说明、线材配置、输入/输出规格表、厂
商资讯、BSMI/CCC标章
https://i.imgur.com/an3rKve.jpg
▼外盒顶部有商标及产品名称
https://i.imgur.com/jHgb5sW.jpg
▼外盒底部有商标及产品名称
https://i.imgur.com/m34Tr2g.jpg
▼包装内容一览，有电源本体、模组化线组、3×1.3mm2 (16AWG)13A交流电源线、大4P转
小4P转接线、固定螺丝、免主机板测试启动用ATX24P插座、魔鬼毡整线带、产品保固卡、
说明书
https://i.imgur.com/hey4Myb.jpg
▼本体尺寸为150mm(W)x86mm(H)x140mm(D)
https://i.imgur.com/CtGJY49.jpg
▼本体外壳其中一个侧面贴上商标及产品系列装饰贴纸，另一侧面贴上规格标签，标签印
上商标、系列名称、型号、警告讯息、产地、安规/BSMI认证标章、80PLUS金牌认证标章
、输入电压/电流/频率、各组最大输出电流/功率、总输出功率
https://i.imgur.com/UH8vNCR.jpg
▼电源本体背面外壳印上商标、系列名称及型号
https://i.imgur.com/Rp8yQoo.jpg
▼风扇护网以铝合金薄板冲压加工而成，中央有EVGA商标，拆卸4颗螺丝可单独取下风扇
护网
https://i.imgur.com/jWTvzjO.jpg
▼后方出风口处设有ECO风扇智慧节能温控模式开关、电源总开关、交流输入插座。交流
输入插座旁有EVGA商标及输入电压/频率标示
https://i.imgur.com/0DLRGdC.jpg
▼模组化线组输出插座旁有标示，左下方印上”请勿打开外盖，内部无使用者可维修零件
”警语，右下方印上商标及系列名称
https://i.imgur.com/C1YfH7W.jpg
▼一组主机板电源黑色编织网包覆模组化线路，提供1个ATX24P接头，采用18AWG线路，长
度为60公分
https://i.imgur.com/XMDcm49.jpg
▼两组处理器电源黑色带状模组化线路，每组提供1个EPS 4+4P接头，16AWG线路长度为70
公分
https://i.imgur.com/78Ht0b9.jpg
▼三组双头显示卡电源黑色带状模组化线路，每组提供2个PCIE 6+2P接头，至第一个接头
18AWG线路长度为70公分，接头间18AWG线路长度为12.5公分。两组单头显示卡电源黑色带
状模组化线路，每组提供1个PCIE 6+2P接头，18AWG线路长度为70公分。总共提供8个
PCIE 6+2P接头
https://i.imgur.com/YaCUKvo.jpg
▼四组SATA接头黑色带状模组化线路，提供12个直角SATA接头，至第一个接头18AWG线路
长度为55公分，接头间18AWG线路长度为10公分
https://i.imgur.com/mYsns9T.jpg
▼一组大4P接头黑色带状模组化线路，提供4个直式大4P接头，至第一个接头18AWG线路长
度为55公分，接头间18AWG线路长度为10公分。提供1条10.5公分22AWG大4P转小4P转接线
https://i.imgur.com/eKG8YAa.jpg
▼将所有模组化线路插上的样子
https://i.imgur.com/M6XjfRT.jpg
▼EVGA 1000 G6内部结构及使用元件说明简表
https://i.imgur.com/7BX7PrU.jpg
▼EVGA 1000 G6为Seasonic代工，采APFC、全桥谐振(FB-LLC)、二次侧12V同步整流，并
经由DC-DC转换3.3V/5V/-12V
https://i.imgur.com/05f24p2.jpg
▼风扇外框中心贴纸上只有EVGA商标、FDB字样及产地，有设置气流导风片
https://i.imgur.com/Kva3WOb.jpg
▼风扇翻到另一面，扇叶轴心处有一张贴纸，上面印上Hong Hua HA13525H12F-Z
12V/0.5A
https://i.imgur.com/MWRgtZn.jpg
▼移除主电路板后，可以看到二次侧同步整流MOSFET位置处的外壳加上了导热垫(红色箭
头)，该位置的黑色绝缘垫片也有开孔，使导热垫可以接触金属外壳
https://i.imgur.com/zeFhB4n.jpg
▼电路板背面，焊点整体做工良好
https://i.imgur.com/Y5e5m1k.jpg
▼交流输入插座及总开关后方加上小电路板，上面有2个Y电容(CY1/CY2)、1个X电容(CX1)
及X电容放电IC，电路板背面先盖一层绝缘隔板，然后加上接地金属遮罩，外面再盖上一
层绝缘隔板。L/N电源线与磁环有包覆绝缘套管
https://i.imgur.com/0m8ZFfH.jpg
▼风扇模式开关焊点与线路有包覆套管
https://i.imgur.com/vrWf1mr.jpg
▼电路板交流输入端EMI滤波电路有2个共模电感(CM1/CM2)，1个X电容(CX2)，2个Y电容
(CY3/CY4)，共模电感外包覆黑色聚酯薄膜胶带，直立安装的保险丝有包覆套管，突波吸
收器未包覆套管
https://i.imgur.com/93qza6k.jpg
▼2颗并联配置的VISHAY GBUE2560低导通压降桥式整流器安装在金属散热板的两侧，散热
板上方额外装上鳍片增大散热面积。左侧APFC电感采用环形磁芯
https://i.imgur.com/DiJOm2B.jpg
▼固定在散热片上的APFC功率元件，有2颗Infineon IPA60R099P6全绝缘封装MOSFET及1颗
ST STPSC10H065D二极管。NTC热敏电阻用来抑制输入涌浪电流，在电源启动后会使用继电
器将其短路，去除NTC所造成的功耗损失
https://i.imgur.com/c8h4bol.jpg
▼APFC电容采用2颗Nippon Chemi-con 420V 470μF KMZ系列105度电解电容并联(总容值
940μF)
https://i.imgur.com/NGtClhp.jpg
▼APFC电路控制用Champion CM6500UNX安装在主电路板背面
https://i.imgur.com/WymmMGf.jpg
▼辅助电源电路一次侧采用Excelliance MOS EM8569C整合电源IC，辅助电源电路变压器
外包覆黑色聚酯薄膜胶带
https://i.imgur.com/sg6b5oH.jpg
▼全桥LLC谐振转换器一次侧采用4颗Infineon IPA60R190P6全绝缘封装MOSFET，2颗
MOSFET共用一片散热片。散热片左方隔离驱动变压器外面包覆黑色聚酯薄膜胶带
https://i.imgur.com/lrr9o1g.jpg
▼左侧为一次侧LLC谐振槽的谐振电感、2颗上下相叠的谐振电容、一次侧电流比流器，谐
振电感、比流器与上层谐振电容外包覆黑色聚酯薄膜胶带。右侧主变压器外包覆黑色聚酯
薄膜胶带
https://i.imgur.com/V1SRcSq.jpg
▼位于主电路板背面的二次侧12V同步整流MOSFET使用6颗Nexperia PSMN1R4-40YLD
MOSFET，周围焊点可传导MOSFET热量至电路板正面金属散热片，MOSFET本身也使用胶固定
在电路板上
https://i.imgur.com/YEUn32u.jpg
▼主电路板背面Champion CU6901VPA负责控制一次侧全桥谐振转换器及二次侧12V同步整
流MOSFET
https://i.imgur.com/62p80y2.jpg
▼主变压器旁2支二次侧同步整流MOSFET散热用直立金属片上面加装鳍片，增大散热面积
。下方有12V输出滤波电路用Nippon Chemi-con固态电容、电感与Nippon Chemi-con电解
电容
https://i.imgur.com/G3pqZVA.jpg
▼3.3V/5V DC-DC及风扇控制电路子板正面配置输入/输出电感及Nichicon/Nippon
Chemi-con固态电容
https://i.imgur.com/uS34WQh.jpg
▼3.3V/5V DC-DC及风扇控制电路子板背面，左侧有3.3V/5V DC-DC MOSFET，共有2组，每
组采1HS+2LS配置。中间有3.3V/5V DC-DC控制用Anpec APW7159C。右侧有风扇控制用
Weltrend WT51F104微控制器。3.3V/5V DC-DC及风扇控制电路子板右下为-12V DC/DC电路
子板
https://i.imgur.com/iwUt4g3.jpg
▼左侧及中间的分流电阻用来侦测3.3V/5V输出电流，右侧3颗一起的分流电阻用来侦测
12V输出电流
https://i.imgur.com/SO5N0qk.jpg
▼主电路板背面的Weltrend WT7527RA电源管理IC，提供输出过电压/欠电压/过电流保护
、接受PS-ON信号控制及产生Power Good信号
https://i.imgur.com/NBkhfdN.jpg
▼模组化输出插座电路板背面未加上绝缘隔板，左上角装一个测温头，接线至3.3V/5V
DC-DC及风扇控制电路子板
https://i.imgur.com/qixcQct.jpg
▼模组化输出插座电路板正面设置11颗Nichicon固态电容及9颗Nippon Chemi-con固态电
容，加强输出滤波效果
https://i.imgur.com/Rd5ulyZ.jpg
接下来就是上机测试
测试文阅读方式请参照此篇：电源测试文阅读小指南
http://wolflsi.pixnet.net/blog/post/67908465
▼EVGA 1000 G6于20%/50%/100%下效率分别为90.56%/92.02%/89.35%，符合80PLUS金牌认
证要求20%输出87%效率、50%输出90%效率、100%输出87%效率
从电源本体及线组插头处测试的电压差异，会对效率产生0.04%至0.45%的影响
https://i.imgur.com/WXth0Bt.jpg
▼EVGA 1000 G6于10%、20%、50%、100%的交流输入波形(黄色-电压，红色-电流，绿色-
功率)。50%输出下功率因子为0.9865，符合80PLUS金牌认证要求50%输出下功率因子需大
于0.9的要求
https://i.imgur.com/uVHpQA5.jpg
▼综合输出负载测试，输出51%时3.3V/5V电流达15A以后就不再往上加，3.3V/5V/12V电压
记录如下表
https://i.imgur.com/4tfYfyf.jpg
▼综合输出6%至100%之间3.3V输出电压最高与最低点差异为53.4mV
https://i.imgur.com/Dxigf3R.jpg
▼综合输出6%至100%之间5V输出电压最高与最低点差异为55mV
https://i.imgur.com/3xrwzVV.jpg
▼综合输出6%至100%之间12V输出电压最高与最低点差异为75mV
https://i.imgur.com/tWXt0Yt.jpg
▼偏载测试，这时12V维持空载，分别测试3.3V满载(CL1)、5V满载(CL2)、3.3V/5V满载
(CL3)的3.3V/5V/12V电压变化，并无出现超出±5%范围情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：
4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
https://i.imgur.com/PpjmJl5.jpg
▼纯12V输出负载测试，这时3.3V/5V维持空载，3.3V/5V/12V电压记录如下表
https://i.imgur.com/ZLVHDM9.jpg
▼纯12V输出5%至100%之间3.3V输出电压最高与最低点差异为32.8mV
https://i.imgur.com/UoaxFos.jpg
▼纯12V输出5%至100%之间5V输出电压最高与最低点差异为33.2mV
https://i.imgur.com/oL62uOT.jpg
▼纯12V输出5%至100%之间12V输出电压最高与最低点差异为120mV
https://i.imgur.com/4v7Ogp0.jpg
▼电源PS-ON信号启动后直接3.3V/15A、5V/15A、12V/72A满载输出下各电压上升时间图，
从12V开始上升处当成起点(0.000s)时，12V上升时间为29ms，5V与3.3V上升时间为5ms
https://i.imgur.com/Lmh3LgA.jpg
▼3.3V/15A、5V/15A、12V/72A满载输出下断电的Hold-up time时序图，从交流中断处当
成起点(0.000s)时，12V于25ms降至11.4V(图片中资料点标签)
https://i.imgur.com/sPxzGDv.jpg
以下波形图，CH1黄色波形为动态负载电流变化波形，CH2蓝色波形为12V电压波形，CH3紫
色波形为5V电压波形，CH4绿色波形为3.3V电压波形
▼当输出无负载时，12V有间歇运作产生的涟波，输出在12V/12A以下涟波波形会随电流改
变，12V/12A之后涟波波形维持不变
https://i.imgur.com/MuH03gb.jpg
▼于3.3V/15A、5V/15A、12V/72A(综合全负载)输出下，12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为
9.6mV/14.8mV/10.4mV，高频涟波分别为6.8mV/14.8mV/10mV
https://i.imgur.com/M3loSCd.jpg
▼于12V/82A(纯12V全负载)输出下，12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为
8.8mV/13.2mV/10.4mV，高频涟波分别为7.6mV/12mV/10.4mV
https://i.imgur.com/jACv9LW.jpg
▼3.3V(上)启动动态负载，变动范围5A至15A，维持时间500微秒，最大变动幅度544mV，
同时造成5V产生286mV、12V产生216mV的变动。5V(下)启动动态负载，变动范围5A至15A，
维持时间500微秒，最大变动幅度为526mV，同时造成3.3V产生338mV、12V产生232mV的变
动
https://i.imgur.com/vWkPY89.jpg
▼12V启动动态负载，变动范围5A至25A，维持时间500微秒，最大变动幅度为288mV，同时
造成3.3V产生56mV、5V产生56mV的变动
https://i.imgur.com/LKBlZzA.jpg
▼12V启动动态负载，变动范围25A至50A，维持时间500微秒，最大变动幅度为244mV，同
时造成3.3V产生70mV、5V产生70mV的变动
https://i.imgur.com/0w3qai9.jpg
▼12V启动动态负载，变动范围35A至70A，维持时间500微秒，最大变动幅度为270mV，同
时造成3.3V产生98mV、5V产生92mV的变动
https://i.imgur.com/QWLwJ6V.jpg
▼12V启动动态负载，变动范围10A至70A，维持时间500微秒，最大变动幅度为568mV，同
时造成3.3V产生138mV、5V产生136mV的变动
https://i.imgur.com/KnwF5z5.jpg
▼电源供应器满载输出下内部(上图)及本体背面外壳(下图)的红外线热影像图(附注：安
装位置环境温度会影响测试结果)
https://i.imgur.com/sljefpq.jpg
▼电源供应器满载输出下桥式整流(上图)及APFC MOSFET(下图)的红外线热影像图(附注：
安装位置环境温度会影响测试结果)
https://i.imgur.com/Mqz7h2T.jpg
▼电源供应器满载输出下谐振电感/主变压器/二次侧(上图)及一次侧MOSFET(下图)的红外
线热影像图(附注：安装位置环境温度会影响测试结果)
https://i.imgur.com/7msgbEj.jpg
▼电源供应器满载输出下DC-DC MOSFET(上图)及模组化插座(下图)的红外线热影像图(附
注：安装位置环境温度会影响测试结果)
https://i.imgur.com/beaqtPQ.jpg
本体及内部结构心得小结：
◆采用全模组化设计，搭配黑色编织网包覆(ATX24P)及带状(其他)模组化线组。提供2个
EPS 4+4P，8个PCIE 6+2P，12个直角SATA，4个直式大4P，附上1条大4P转小4P转接线。
EPS 4+4P使用16AWG线材
◆铝合金薄板冲压而成的风扇护网可单独取下。具备ECO风扇模式开关，可选择常时运转
或是低负载/温度下风扇不运转，负载/温度提高后启动温控运转
◆交流输入插座与总开关后方设置独立电路板安装元件，并加装金属遮罩及绝缘隔板。磁
芯、L/N电源线、保险丝、风扇模式开关焊点与线路都有包覆套管，突波吸收器未包覆套
管
◆电路板背面焊点整体做工良好，透过电路板二次侧区域的导热垫可将MOSFET的热量传导
至外壳协助散热
◆采用APFC、全桥谐振(FB-LLC)架构、同步整流输出12V，并透过DC-DC转换3.3V/5V/-12V
◆APFC/一次侧MOSFET使用Infineon，APFC二极管使用ST，二次侧同步整流MOSFET使用
Nexperia。APFC/一次侧MOSFET使用全绝缘封装
◆固态及电解电容均采用日系品牌
◆二次侧电源管理IC可侦测输出电压与电流是否在正常范围
◆模组化插座板与主电路板透过电路板焊盘及金属插针焊接连接
各项测试结果简单总结：
◆EVGA 1000 G6于20%/50%/100%下效率分别为90.56%/92.02%/89.35%，符合80PLUS金牌认
证要求20%输出87%效率、50%输出90%效率、100%输出87%效率
◆EVGA 1000 G6的功率因子修正，满足80PLUS金牌认证要求输出50%下功率因子需大于0.9
◆偏载测试，12V维持空载，测试3.3V满载、5V满载、3.3V/5V满载的3.3V/5V/12V电压变
化，均无出现超出±5%范围情形
◆电源启动至综合全负载输出状态，12V上升时间为29ms，3.3V/5V上升时间为5ms
◆综合全负载输出状态切断AC输入模拟电力中断，12V于25ms后降至11.4V
◆输出无负载时12V有间歇运作产生的涟波；12V/12A之后波形维持不变；于综合全负载输
出下12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为9.6mV/14.8mV/10.4mV；于纯12V全负载输出下
12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为8.8mV/13.2mV/10.4mV
◆3.3V/5V动态负载测试，变动范围5A至15A，维持时间500微秒，最大变动幅度分别为
544mV/526mV
◆12V动态负载测试，变动范围5A至25A，维持时间500微秒，最大变动幅度为288mV
◆12V动态负载测试，变动范围25A至50A，维持时间500微秒，最大变动幅度为244mV
◆12V动态负载测试，变动范围35A至70A，维持时间500微秒，最大变动幅度为270mV
◆12V动态负载测试，变动范围10A至70A，维持时间500微秒，最大变动幅度为568mV
◆热机下3.3V过电流截止点在31A(124%)，5V过电流截止点在34A(136%)，12V过电流截止
点在117A(140%)
报告完毕，谢谢收看