吴敏求：内存市场续成长　3D NAND Flash将取代DRAM
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旺宏董事长吴敏求。萧文康摄
图片来源 : 苹果新闻网
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旺宏（2337）董事长吴敏求今出席李国鼎纪念论坛以“快闪存储器之现况及未来”
为题演讲，他指出，在人工智能的浪潮下，内存需求将持续扩大，市场继续成长，
预期3D NAND Flash将取代DRAM成为市场的主流产品。
吴敏求表示，包括人工智能、边缘运算、5G及汽车电子将带动大数据洪流，
刺激对内存需求增多。
其中，先进半导体制程技术使得2D储存型快闪存储器(NAND Flash)
及编码型快闪存储器(NOR Flash)跨越无法微缩的障碍，
进入3D内存，促使容量持续增加，维系NAND Flash与NOR Flash成长动量。
目前内存市场仍以动态随机存取内存(DRAM)为大宗，
不过3D NAND Flash拥有最高密度及最低制造成本，
预期未来可能成为内存市场新主流。
此外，针对NOR Flash市场，吴敏求说，NOR Flash需求不会萎缩，
创新会持续扩大NOR Flash的应用量。
而大数据与人工智能对于使用内存的需求与规格，改变了半导体内存既有的角色。
内存将由以往在幕后担任资料储存的角色，走向幕前成为协助运算，
最终实现储存及运算一体的具体表现。
（萧文康／台北报导）