国外媒体分享了2021年 Samsung 技术日的一些公开资讯
透漏了一些未来内存的技术以及路线图
不过简报照片多数是不能公开的，但仍有一些相关资讯分享。
DDR5 内存目前才刚随着 Intel 12代进入市场，不过随即缺货，基本上要到真的主流且
多数平台使用预计要到2023年
虽还有两年时间，但 Samsung 已经谈到了下一代的 DDR6 内存，将会带来两倍的速度
与带宽。
DDR6 标准还未被 JEDEC 正式化，不过默认规格可能会在 12800 Mbit/s
但这只是初阶开发阶段，未来超频内存模组可能会达到 17000 Mbit/s。
DDR6 每个模组将会有4个通道，是 DDR5 的两倍，内存 bank 数量会增加到64个，是
DDR4 标准的四倍。
关于 GDDR6 以及之后标准的规格 Samsung 也透漏了一些资讯，Samsung 正在开发
GDDR6+ 的标准
提供高达 24Gbps 的速度，相比目前 GDDR6 提供的 18Gbps 要提升33%，该标准将会采用
Samsung 1z nm 制程。
另外 GDDR7 标准也在路线图上，不过目前没有任何可用日期
GDDR7 将会增加到 32Gbps 的速度，并有即时错误保护功能，除此之外也没有更多的细节
。
来源消息还称 Samsung 将会在2022年第二季开始生产 HBM3 内存。
https://i.imgur.com/1JQsY83.png
https://reurl.cc/Rb7pqZ
沧者编译 https://reurl.cc/V5ZrM5
到时候又会问 DDR6 CL 怎么这么松 老掉牙问题 从DDR1问到DDR5还在问