狼窝好读版：
https://wolflsi.pixnet.net/blog/post/69826516
https://i.imgur.com/ceW4jQx.jpg
EVGA 850 GM特色：
●通过80PLUS金牌认证，平均转换效率超过90%，节省电能消耗及电费支出
●全模组化设计，采用黑色编织网包覆模组化线路，安装便捷，整线轻松
●相容于ATX12V V2.52及EPS12V规格，提供2个EPS 4+4P接头，支援Intel/AMD最新处理器
/主机板平台
●单路12V输出，搭配DC-DC转换3.3V/5V/-12V设计，使12V可用功率最大化，提供充足电
流，确保最佳系统相容性，同时改善各输出电压交叉调整率
●FDB轴承92mm长寿风扇，采半无风扇控制方式，于低负载/低温下风扇不会运转
●提供完整保护
●随附SFX to ATX安装转板
●采用全日系电容
●提供十年产品保固
EVGA 850 GM输出接头数量：
ATX24P：1个
EPS 4+4P：2个
PCIE 6+2P：4个
SATA：6个
大4P：4个
小4P：1个(由大4P转换)
▼外盒正面有商标、产品系列、型号、80PLUS金牌标志、输出功率、产品名称
https://i.imgur.com/ed0HSJb.jpg
▼外盒背面有多国语言特色说明/接头配置数量、静音92mm FDB风扇/全日系电容/全模组
化说明图片、输入/输出规格表、安规认证标志、厂商资讯
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▼外盒上/下侧面有商标、产品系列、型号、多国语言线上说明连结QR码、产地、条码
https://i.imgur.com/tBN6t4b.jpg
▼外盒左/右侧面有商标、转换效率图、风扇噪音VS输出百分比关系图、中文繁体/简体产
品资讯贴纸
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▼包装内容，有电源本体、产品保固卡、说明书、模组化线组/EVGA商标魔鬼毡整线带、
SFX to ATX安装转板、固定螺丝、启动测试用ATX 24P插座、交流电源线(1.25mm2 x3，
10A)。随附的SFX to ATX安装转板可对应标准ATX规格的电源安装位置，上面提供两种安
装方向的螺丝锁点
https://i.imgur.com/0UtxgDR.jpg
▼电源本体尺寸为124.9x63.3x100mm
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▼本体外壳其中一个侧面有商标/产品系列/型号装饰贴纸
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▼外壳另一侧面的标签印上商标、产品系列、型号、80PLUS金牌认证、警告讯息、安规
/BSMI认证标章、产地、输入电压/电流/频率、各组最大输出电流/功率、总输出功率
https://i.imgur.com/cTEYZYI.jpg
▼本体外壳背面有商标字样及条码贴纸
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▼直接在外壳冲压风扇护网，护网中央有商标铭板贴纸，护网上/下外壳有商标及输出功
率字样
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▼六角蜂巢网状散热出风口处有交流输入插座、电源总开关，印上输入电压/频率范围及
商标，并提供两种安装方向的螺丝锁点。出货时会在交流输入插座贴上四种语言的ECO
MODE说明贴纸，说明低负载下风扇不会运转
https://i.imgur.com/zTmXBma.jpg
▼模组化线组输出插座旁有标示，左下有”请勿打开外盖，内部没有可维护元件”警告讯
息，右下有商标/产品系列
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▼一组ATX24P黑色编织网包覆模组化线路，长度为30公分，采用18AWG+22AWG线路
https://i.imgur.com/Z9ojGKN.jpg
▼两组处理器电源黑色编织网包覆模组化线路，提供2个EPS 4+4P接头，长度均为39公分
，采用18AWG线路
https://i.imgur.com/oXNkJ8W.jpg
▼两组显示卡电源黑色编织网包覆模组化线路，提供4个PCIE 6+2P接头，其中一条至第一
个接头长度为50公分，另一条至第一个接头长度为39公分，接头间线路长度为11公分，采
用18AWG线路
https://i.imgur.com/8SkD0w9.jpg
▼两组SATA装置编织网包覆模组化线路，提供6个直式SATA接头，至第一个接头长度为29
公分，接头间线路长度为10公分，采用18AWG线材
https://i.imgur.com/OXfEtF2.jpg
▼一组大4P装置编织网包覆模组化线路，提供4个直式大4P接头，至第一个接头长度为29
公分，接头间线路长度为11公分，采用18AWG线材
https://i.imgur.com/w5jWFKp.jpg
▼大4P转小4P接头转接线长度为10公分，采用22AWG线材
https://i.imgur.com/go3V1Z8.jpg
▼将所有模组化线路插上的样子
https://i.imgur.com/kddTQaH.jpg
▼EVGA 850 GM内部结构及使用元件说明简表
https://i.imgur.com/KLghKx2.jpg
▼EVGA 850 GM由FSP代工，结构为一次侧主动箝位重置顺向(ACRF)，二次侧12V同步整流
，DC-DC转换3.3V/5V/-12V
https://i.imgur.com/OVoiuUa.jpg
▼使用的风扇为HONG HUA HA9215SH12FD-F00 9公分12V/0.46A二线式风扇，并设置气流导
风片
https://i.imgur.com/dTlATsj.jpg
▼电路板背部使用整面的黑色绝缘片覆蓋，一次侧位置露出两个蓝色导热垫，二次侧位置
加上一片折成L形的铝材质散热板
https://i.imgur.com/sR4DP2E.jpg
▼取下黑色绝缘片及L形铝材质散热板，黑色绝缘片在检流电阻、APFC二极管及重置开关
、二次侧同步整流等元件位置处开孔，使电路板元件热量可以经蓝色导热胶垫传导至背面
外壳协助散热。L形铝材质散热板一边贴在导热垫与外壳之间，另一边往侧面外壳延伸，
可加大散热面积
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▼电路板背面，焊点整体做工良好，二次侧部分区域有额外敷锡处理
https://i.imgur.com/rWZ5ERq.jpg
▼交流输入插座及电源总开关后方电路板也加上内嵌金属板的黑色绝缘片，并用螺丝固定
在接地锁点上。取下后可看到X电容放电用IC及其电阻
https://i.imgur.com/1r74U2X.jpg
▼电路板另外一面有2个X电容(CX1/CX2)，1个共模电感(CM1)，保险丝，突波吸收器。保
险丝及突波吸收器均包覆套管
https://i.imgur.com/A2049vg.jpg
▼为充分利用空间，EMI滤波/防涌浪/桥式整流电路子板采垂直安装，交流输入端透过焊
接方式连接交流输入插座及电源总开关电路板，上面有2个共模电感(CM2/CM3)，1个X电容
(CX3)，2个Y电容(CY1/CY2)，2个GBU1506U桥式整流器。APFC电容采用1颗Nippon
Chemi-con 420V 120μF KHE系列及2颗420V 150μF KMG系列105℃电解电容并联组合(总
容值420μF)。APFC环形电感外包覆内嵌铜箔的黑色聚酯薄膜胶带
https://i.imgur.com/vBNPZaD.jpg
▼EMI滤波/防涌浪/桥式整流电路子板背面有2个放电管(EDSP1/EDSP2)
https://i.imgur.com/uSXZCvv.jpg
▼EMI滤波/防涌浪/桥式整流电路子板最下方有用来抑制输入涌浪电流的NTC热敏电阻，启
动后会使用继电器将其短路，避免造成功耗损失
https://i.imgur.com/pkFPA9T.jpg
▼FSP MIA 6600整合一次侧APFC、ACRF、辅助电源电路所有控制
https://i.imgur.com/sThIOtx.jpg
▼位于APFC电感与主变压器之间，安装在散热片上的APFC功率元件，使用2颗VISHAY
SiHG120N60E TO-247AC封装MOSFET并联组合
https://i.imgur.com/tWA1PkH.jpg
▼安装在散热片上的一次侧ACRF主开关，由2颗Infineon IPA80R310CE全绝缘封装MOSFET
并联组合
https://i.imgur.com/ZwTDOvN.jpg
▼电路板背面的APFC电路用2颗并联配置ST STPSC8H065B二极管及一次侧ACRF重置开关
Infineon IPD80R1K4CE MOSFET，均采TO-252封装
https://i.imgur.com/XzK1mpx.jpg
▼电路板背面的辅助电源电路一次侧功率元件CET CEU02N7G MOSFET及二次侧整流用PFC
Device PT20L80D Schottky Diode，均采TO-252封装
https://i.imgur.com/8Ljabun.jpg
▼电路板背面的二次侧同步整流电路，采用6颗TOSHIBA TPH1R306NH MOSFET
https://i.imgur.com/OVaF27N.jpg
▼主电路板上Y电容使用Murata DK1系列(EA)表面黏着型安全电容
https://i.imgur.com/iVMOpwb.jpg
▼装在子板上的FSP MIA 6601负责二次侧12V同步整流控制
https://i.imgur.com/poEQXUC.jpg
▼左侧12V输出环形电感两侧用固定胶贴上黑色绝缘片。3.3V/5V DC-DC电路及风扇控制电
路安装在二次侧垂直子板上，上面有环形电感及Nippon Chemi-con固态电容，左上
APW9010提供风扇控制。12V输出使用Nippon Chemi-con固态电容及Rubycon电解电容
https://i.imgur.com/OI8YAUx.jpg
▼子板背面，DC-DC控制核心为Anpec APW7159C双通道同步降压PWM控制器，3.3V/5V功率
级均采用2颗Infineon BSC0902NS MOSFET，共有两组。子板左侧焊盘连接模组化输出插座
板
https://i.imgur.com/nqhCPeD.jpg
▼模组化输出插座板背面敷锡增加载流能力，并加上一些MLCC(积层陶质电容)，靠近一次
侧及主变压器区域有黑色绝缘隔板覆蓋
https://i.imgur.com/qMwRM8S.jpg
▼模组化输出插座板正面有2片加强载流用实心金属条，并在插座旁安置10颗Nippon
Chemi-con固态电容加强输出滤波效果。模组化输出插座板左侧背面有TI TPS54231降压电
源转换IC，组成-12V输出DC-DC转换电路。模组化输出插座板左侧背面的Weltrend
WT7502R电源管理IC可提供输出过电压/低电压/短路保护，产生PG信号并接受PS-ON控制
https://i.imgur.com/LK4jRKo.jpg
接下来就是上机测试
测试文阅读方式请参照此篇：电源测试文阅读小指南
http://wolflsi.pixnet.net/blog/post/67908465
▼EVGA 850 GM于20%/50%/100%下效率分别为91.79%/91.92%/88.69%，符合80PLUS金牌认
证要求20%输出87%效率、50%输出90%效率、100%输出87%效率
从电源本体及线组插头处测试的电压差异，会对效率产生0.04%至0.4%的影响
https://i.imgur.com/YDwVOYp.jpg
▼EVGA 850 GM输出10%、20%、50%、100%的交流输入波形(黄色-电压，红色-电流，绿色-
功率)。50%输出下功率因子为0.9985，符合80PLUS金牌认证要求50%输出下功率因子需大
于0.9的要求
https://i.imgur.com/1WSqUZM.jpg
▼综合输出负载测试，输出54%时3.3V/5V电流达14A以后就不再往上加，3.3V/5V/12V电压
记录如下表
https://i.imgur.com/QduNB0X.jpg
▼综合输出8%至99%之间3.3V输出电压最高与最低点差异为60.5mV
https://i.imgur.com/5uTON9N.jpg
▼综合输出8%至99%之间5V输出电压最高与最低点差异为61mV
https://i.imgur.com/5OfslxK.jpg
▼综合输出8%至99%之间12V输出电压最高与最低点差异为52mV
https://i.imgur.com/mfq4O6J.jpg
▼偏载测试，这时12V维持空载，分别测试3.3V满载(CL1)、5V满载(CL2)、3.3V/5V满载
(CL3)的3.3V/5V/12V电压变化，并无出现超出±5%范围情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：
4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
https://i.imgur.com/riRV5TU.jpg
▼纯12V输出负载测试，这时3.3V/5V维持空载，3.3V/5V/12V电压记录如下表
https://i.imgur.com/JgpnjMA.jpg
▼纯12V输出6%至99%之间3.3V输出电压最高与最低点差异为43.3mV
https://i.imgur.com/WnHu1AX.jpg
▼纯12V输出6%至99%之间5V输出电压最高与最低点差异为42.2mV
https://i.imgur.com/m45fZfw.jpg
▼纯12V输出6%至99%之间12V输出电压最高与最低点差异为54mV
https://i.imgur.com/E9YhSul.jpg
▼电源PS-ON信号启动后直接3.3V/14A、5V/14A、12V/60A满载输出下各电压上升时间图，
从12V开始上升处当成起点(0.000s)时，12V上升时间为23ms，5V与3.3V上升时间为3ms
https://i.imgur.com/9xhcUto.jpg
▼3.3V/14A、5V/14A、12V/60A满载输出下断电的Hold-up time时序图，从交流中断处当
成起点(0.000s)时，12V于17ms开始压降，19ms降至11.4V(图片中资料点标签)
https://i.imgur.com/54oPBK8.jpg
以下波形图，CH1黄色波形为动态负载电流变化波形，CH2蓝色波形为12V电压波形，CH3紫
色波形为5V电压波形，CH4绿色波形为3.3V电压波形
▼输出无负载时12V涟波间歇产生。12V/1A至12V/17A输出区间12V涟波波形会随负载改变
，幅度在13.6mV(12V/17A)至19.2mV(12V/9A)之间
https://i.imgur.com/lwFlzJc.jpg
▼12V/18A输出下涟波最小，之后波形不变，幅度随输出负载增加
https://i.imgur.com/KMvm5BO.jpg
▼于3.3V/14A、5V/14A、12V/60A(综合全负载)输出下，12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为
20.8mV/38.8mV/30.4mV，高频涟波分别为16.4mV/38mV/26.8mV
https://i.imgur.com/ZXCcSyq.jpg
▼于12V/70A(纯12V全负载)输出下，12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为
18mV/24.8mV/29.6mV，高频涟波分别为12.8mV/20.4mV/23.6mV
https://i.imgur.com/7Ka33Dg.jpg
▼3.3V启动动态负载，变动范围5A至15A，维持时间500微秒，最大变动幅度960mV，同时
造成5V产生428mV、12V产生380mV的变动
https://i.imgur.com/1zbXUJ2.jpg
▼5V启动动态负载，变动范围5A至15A，维持时间500微秒，最大变动幅度为776mV，同时
造成3.3V产生540mV、12V产生452mV的变动
https://i.imgur.com/MzDXesa.jpg
▼12V启动动态负载，变动范围5A至25A，维持时间500微秒，最大变动幅度为494mV，同时
造成3.3V产生66mV、5V产生62mV的变动
https://i.imgur.com/rs0DE83.jpg
▼电源供应器满载输出下内部(上图)及本体背面外壳(下图)的红外线热影像图(附注：安
装位置环境温度会影响测试结果)
https://i.imgur.com/Y6y5tYg.jpg
▼电源供应器满载输出下桥式整流/APFC电感/APFC MOSFET/一次侧MOSFET(上图)及主变压
器/二次侧/12V输出电感(下图)的红外线热影像图(附注：安装位置环境温度会影响测试结
果)
https://i.imgur.com/0Ns4aXI.jpg
本体及内部结构心得小结：
◆采用全模组化设计，搭配黑色编织网包覆模组化线组，线材长度均较短。提供2个EPS
4+4P，4个PCIE 6+2P，6个直式SATA，4个大4P，1条大4P转小4P转接线
◆随附安装转接板，可对应标准ATX电源安装位置
◆直接在外壳冲压风扇护网。低负荷/温度下风扇不运转，负荷/温度提高后启动温控运转
◆交流输入插座后方元件固定在独立电路板上，并使用内嵌金属板的绝缘片完整包覆
◆电路板背面焊点整体做工良好，大电流区域有敷锡处理，并设置绝缘片或包覆聚酯薄膜
胶带等加强二次绝缘，透过导热垫可将电路板背面元件的热量传导至外壳
◆采用FSP MIA控制IC，ACRF(主动箝位重置顺向式)架构及同步整流输出12V，并透过
DC-DC转换3.3V/5V/-12V
◆APFC MOSFET使用VISHAY，APFC二极管使用ST，一次侧/DC-DC MOSFET使用Infineon，二
次侧同步整流使用TOSHIBA。一次侧ACRF主开关MOSFET使用全绝缘封装
◆电解电容采用日系品牌Rubycon/Nippon Chemi-con，固态电容采用日系品牌Nippon
Chemi-con，符合包装标示
◆二次侧电源管理IC可侦测输出电压是否在正常范围，透过一次侧OPP功能，搭配
3.3V/5V DC-DC控制IC(APW7159C)所提供的OCP，达成过电流保护
◆模组化插座板与主电路板透过电路板焊盘及金属插针焊接连接
各项测试结果简单总结：
◆EVGA 850 GM于20%/50%/100%下效率分别为91.79%/91.92%/88.69%，符合80PLUS金牌认
证要求20%输出87%效率、50%输出90%效率、100%输出87%效率
◆EVGA 850 GM的功率因子修正，满足80PLUS0金牌认证要求
◆偏载测试，12V维持空载，分别测试3.3V满载、5V满载、3.3V/5V满载的3.3V/5V/12V电
压变化，均无出现超出±5%范围情形
◆电源启动至综合全负载输出状态，12V上升时间为23ms，3.3V/5V上升时间为3ms
◆综合全负载输出状态切断AC输入模拟电力中断，12V于17ms开始压降，19ms降至11.4V
◆输出无负载时12V涟波间歇产生；12V/1A至12V/17A输出区间12V涟波波形随负载改变，
幅度在13.6mV(12V/17A)至19.2mV(12V/9A)之间，12V/18A下有最小涟波；于综合全负载输
出下12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为20.8mV/38.8mV/30.4mV；于纯12V全负载输出下
12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为18mV/24.8mV/29.6mV
◆3.3V/5V动态负载测试，变动范围5A至15A，维持时间500微秒，最大变动幅度分别为
960mV/776mV
◆12V动态负载测试，变动范围5A至25A，维持时间500微秒，最大变动幅度为494mV
◆热机下3.3V过电流截止点在27A(135%)，5V过电流截止点在30A(150%)，12V过电流截止
点在89A(126%)
报告完毕，谢谢收看