Intel 今日稍早详细公开了最新的制程与封装技术规画，不仅带来了极具野心的新时程，同时也重新命名了其节点，将其节点与物理尺寸脱勾。
目前对于节点的命名（也就是我们常说的“几奈米”）是以半导体上最小的零组件尺寸为基础，虽然说就广义上来说代表示技术演进的世代，但就算是这些零组件本身，也会因为结构和技术，而在性能上有着差异。
这使得 Intel 的 10nm 技术有着虽然与他厂 7nm 类似的性能表现，但在纸面上看起来就是差了一个世代
因此 Intel 将在节点命名中舍弃直接使用奈米数，而是将节点“概念化”
将即将上市的 10nm Enhanced Superfin 改名为“Intel 7”，并且随后推出“Intel 4”、“Intel 3”等，依此类推。
Intel 7 依然是以 FinFET 技术的最佳化为主，相较于目前最新的 10nm SuperFIN，每瓦效能约可提升 10~15%。Intel 7 将会用在今年底的 Alder Lake 笔电处理器与明年初的 Sapphire Rapids 资料中心处理器上。Intel 4 则是使用极紫外光（EUV）微影技术来进行微缩，预计每瓦效能可以再提升 20%，并将在 2022 年下半年开始量产，2023 年开始出货。
率先采用 Intel 4 的产品预计为再次世代的 Meteor Lake 消费型处理器与 Granite Rapids 资料中心处理器。而 Intel 3 则是 FinFET 的最后一次登场，运用 FinFET 与 EUV 的再进一步最佳化，实现相较于 Intel 4 再 18% 的每瓦效能成长。Intel 3 预计 2023 下半年开始生产
https://chinese.engadget.com/intel-chip-roadmap-7-nm-20-a-050039884.html