英特尔发表新制程路线　4年内追上台积电、三星
28分钟前
CPU一哥英特尔（intel）在新执行长基辛格（Pat Gelsinger）掌舵下，正加速制程与封装
创新，今首度详尽揭露其制程与封装技术的最新路线规划，并宣布一系列基础创新，目标
在2025年之前赶上甚至超越晶圆代工厂台积电与三星。
英特尔除首次发表全新电晶体架构RibbonFET外，还有被称作PowerVia的业界首款背部供电
的方案，也正迅速转往下一世代EUV工具的计画，称为高数值孔径（High NA）EUV；英特尔
有望获得业界首款High NA EUV量产工具。
英特尔指出，产业早已意识到，目前以奈米为基础的制程节点命名方式，并不符合自1997
年起采用闸极长度为准的传统。英特尔今公布制程节点全新的命名结构，创造清晰并具备
一致性的架构，给予客户更为精确的制程节点认知。
英特尔表示，随着公司成立晶圆代工服务Intel Foundry Services，这种重要性更胜以往
。英特尔执行长基辛格表示，今天揭晓的各种创新，不仅开展英特尔的产品路线规划，它
们对于我们晶圆代工的客户也相当重要。
英特尔技术专家以新的节点命名方式，详述下列未来制程与效能蓝图规划，以及各节点所
具备的创新技术：
‧ Intel 7：植基于FinFET（鳍式场效电晶体）最佳化，相较Intel 10nm SuperFin每瓦效
能可提升大约10%～15%。Intel 7将会使用在2021年的Alder Lake用户端产品，以及2022年
第1季量产的Sapphire Rapids资料中心产品。
‧ Intel 4：全面使用极紫外光（EUV）微影技术，透过超短波长的光，印制极小的形状。
伴随每瓦效能提升约20%，以及面积改进，Intel 4将于2022下半年准备量产，2023年开始
出货，client用户端Meteor Lake和资料中心Granite Rapids将率先采用。
‧ Intel 3：进一步汲取FinFET最佳化优势与提升EUV使用比例，以及更多的面积改进，
Intel 3相较Intel 4约能够提供18%的每瓦效能成长幅度。Intel 3将于2023下半年准备开
始生产。
‧ Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia这2个突破性技术开创埃米（angstrom）时代。
RibbonFET为英特尔环绕式闸极（Gate All Around）电晶体的实作成果，亦将是自2011年
推出FinFET后，首次全新电晶体架构。此技术于较小的面积当中堆叠多个鳍片，于相同的
驱动电流提供更快的电晶体开关速度。PowerVia为英特尔独特、业界首次实作的背部供电
，借由移除晶圆正面供电所需回路，以达最佳化讯号传递工作。Intel 20A预计将于2024年
逐步量产。英特尔同时公布， Qualcomm（高通）将采用Intel 20A制程技术。
‧ 2025与未来：Intel 20A之后，改良自RibbonFET的Intel 18A已进入开发阶段，预计于
2025年初问世，将为电晶体带来另一次的重大性能提升。英特尔也正在定义、建立与布署
下一世代的EUV工具，称之为高数值孔径EUV，并有望获得业界首套量产工具。英特尔正与
ASML紧密合作，确保这项业界突破技术能够成功超越当代EUV。
英特尔强调，公司拥有基础制程创新的悠久历史，推动产业前进并破除限制。在90奈米领
衔转换至应变硅，于45奈米采用高介电常数金属闸极，于22奈米导入鳍式场效电晶体，
Intel 20A将会是另外一个制程技术的分水岭，提供RibbonFET和PowerVia两大突破性创新
。
英特尔新的IDM 2.0策略，对于实现摩尔定律优势而言，封装变得越来越重要。英特尔并宣
布，亚马逊网络服务公司（AWS）将是第一个采用IFS封装解决方案的客户。（吴国仲╱台
北报导）
https://tw.appledaily.com/property/20210727/N474VQTGA5BEROICSCRFGLNNGM/
所以今天是intel的改名大会?