三星 3nm 技术指标曝光：电晶体密度连 Intel 7nm 都不如
Freddie Freddie · 2021-07-14
10nm以下的先进制程工艺，目前只有Intel、台积电和三星可以量产。
日前，Digitimes 整理了三大晶圆厂在10nm、7nm、5nm、3nm、2nm的技术指标演进对比图
，这里使用的是电晶体密度（每平方公厘的电晶体数量）。
10nm时代，Intel 做到了1.06亿/mm2 的密度，是台积电和三星的两倍。
7nm时代，Intel 预估可以做到1.8亿/mm2 ，台积电9700万/mm2 、三星9500万颗/mm2 。
5nm时代，Intel预估可以做到3亿/mm2 ，台积电1.73亿/ mm2 、三星1.27亿/ mm2 。
这样来看的话，Intel的10nm相当于台积电及三星的7nm、Intel 7nm相当于台积电及三星
5nm的说法有一定道理。
不过，从5nm可以明显看出，在电晶体密度上，三星已经明显落后。
放眼3nm，台积电大概可以做到2.9亿/mm2 ，三星可以做到1.7亿/mm2 ，三星的指标甚至连
Intel 7nm都不如。
https://tinyurl.com/4sx7ptfp
英待尔:挤牙膏都比你强