震撼韩国业界！美光内存制造技术领先三星与 SK 海力士
作者 Atkinson | 发布日期 2021 年 06 月 07 日 16:40
美光执行长 Sanjay Mehrotra 于 2 日在 Computex 2021 论坛主题演讲宣布，正式
量产 1α 制程 LPDDR4x DRAM，并正向 AMD 和 Acer 供应 1α 制程 DRAM，还宣布开
始量产 176 层堆叠 NAND Flash 快闪存储器，震撼 DRAM 市占率领先全球的韩国业界。
韩国媒体《KoreaBusiness》报导，美光 1α 制程 DRAM 相当于韩国三星和 SK 海
力士 14 奈米制程 DRAM。目前美光是世界第一家量产 14 奈米制程 DRAM 的公司。20
20 年 11 月美光宣布开始量产 176 层堆叠 NAND Flash 快闪存储器后，代表美光不论
DRAM 还是 NAND Flash 快闪存储器生产技术都超越韩国两家公司。
韩国一位市场人士表示，由于核心制程技术不同，很难直接将美光技术与三星和 SK
海力士技术比较，令人惊讶的是，美光没有极紫外线曝光设备 (EUV) 辅助下，缩小与
两家韩国内存大厂的差距。
现阶段三星和 SK 海力士尚未开始量产 176 层堆叠的 NAND Flash 快闪存储器。SK
海力士虽然 2020 年 12 月宣布完成 176 层堆叠的 NAND Flash 快闪存储器开发，还没
有达量产阶段。两家韩国内存企业都表示，2021 下半年可量产 176 层堆叠NAND Flash
快闪存储器。但市场人士认为，量产时间实际上会到 2021 年底。预计两家韩国内存厂
商的量产 14 奈米制程 DRAM 的时间也会 2021 年底开始。
韩国半导体产业非常关注美光不使用 EUV 曝光设备成功开发出 14 奈米制程 DRAM，
因这是半导体制程微缩的关键。三星和 SK 海力士正将 EUV 技术应用于 10 奈米等级，
但技术较入门的 DRAM 生产。
相较韩国两家厂商，目前是台湾投资金额最大的外商美光，最新技术是不使用 EUV
曝光设备，采用上一代深紫外 (DUV) 曝光设备就生产内存。市场人士也强调，因
ASML 的 EUV 曝光设备每部造价高达 1.5 亿美元，生产的内存会有较高成本。但美光
采用 DUV 曝光设备就能生产内存产品，产品成本竞争力将更具优势。
仍有韩国专家调，美光 1α 制程 DRAM 和 176 层堆叠 NAND Flash 快闪存储器尚未
与三星和 SK 海力士产品比较是否有相同性能，美光能对两家韩国厂商造成多大威胁，
有待观察。
https://technews.tw/2021/06/07/micron-ahead-of-samsung-electronics-in-
1α-nm-dram-mass-production
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