这几年，台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭，春风得意
能够追赶的也只有三星了，但是后者的工艺品质一直饱受质疑。
IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)
又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片
是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。
在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点
其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。
三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应电晶体)技术
再次实现了电晶体结构的突破，比现在的FinFET立体电晶体又是一大飞跃。
GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为电晶体的鳍
(fin)
二是MBCFET(多桥通道场效应电晶体)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片
(nanosheet)。
三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米
最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电压只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电
技术。
按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将电晶体密度增加最多80％
性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。
或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。
三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。
台积电方面，3nm继续使用FinFET技术，号称相比于5nm电晶体密度增加70％
性能可提升11％，或者功耗可降低27％，预计今年晚些时候投入试产
明年量产，客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等，甚至据
说Intel也会用。
https://news.mydrivers.com/1/744/744941.htm
没关系 大家都会用 会翻车一起翻 免惊