台积电 2nm 工艺重大突破 2023 年投入试产
richard richard · 2020-11-17
这几年，天字一号代工厂台积电在新工艺进展上简直是开挂一般的存在，7nm 工艺全面普
及，5nm 工艺一路领先，3nm 工艺近在眼前，2nm 工艺也进展神速。根据最新报导，台积
电已经在 2nm 工艺上取得一项重大的内部突破，虽未披露细节，但是据此乐观预计，
2nm 工艺有望在 2023 年下半年进行风险性试产，2024 年就能步入量产阶段。
台积电还表示，2nm 的突破将再次拉大与竞争对手的差距，同时延续摩尔定律，继续挺进
1nm 工艺的研发。台积电预计，苹果、高通、NVIDIA、AMD 等客户都有望率先采纳其
2nm 工艺。
2nm 工艺上，台积电将放弃延续多年的 FinFET ( 鳍式场效应晶体管 )，甚至不使用三星
规划在 3nm 工艺上使用的 GAAFET ( 环绕栅极场效应晶体管 )，也就是纳米线 (
nanowire )，而是将其拓展成为“MBCFET”( 多桥通道场效应晶体管 )，也就是奈米片
( nanosheet )。
从 GAAFET 到 MBCFET，从奈米线到奈米片，可以视为从二维到三维的跃进，能够大大改
进电路控制，降低漏电率。
当然，新工艺的成本越发会成为天文数字，三星已经在 5nm 工艺研发上已经投入了大约
4.8 亿美元，3nm GAAFET 上会大大超过 5 亿美元。
台积电很少披露具体工艺节点上的投入数字，但是大家可以放开去想像了……
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