※ 引述《madeinheaven ()》之铭言：
: 2年后追上台积电 三星计画2022年量产3nm：首发GAA工艺
: https://news.mydrivers.com/1/724/724559.htm
: 但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上，因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极
: 晶体管，是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的，而台积电比较保守，3nm还是用
: FinFET，2nm上才会使用GAA工艺。
: 最新消息称，三星半导体业务部门的高管日前透露说，三星计画在2022年量产3nm工艺，
: 而台积电的计画是2022年下半年量产3nm工艺，如此一来三星两年后就要赶超台积电了。
: 值得一提的是，台积电也似乎感受到了三星的压力，原本计画2024年才推出2nm工艺，现
: 在研发顺利，2023年下半年就准确试产了。
https://tinyurl.com/y5a5q37h
上面连结是三星2019技术论坛宣布3nm用GAA的内容
往下拉可以看到密度:"Area -45% compare to 7nm"
1/(100%-45%)=1.82
代表3nm GAA密度是7nm的1.82倍
三星7LPE密度是95.3MTr/mm2
所以3nm GAA密度是95.3*1.82=173MTr/mm2
恩...这个密度就是台积今年做的5nm阿 = =
是说三星还硬要切出6/5/4奈米 这配合老黄刀工也是刚好
GG到3nm制程的290MTr/mm2都用Finfet就搞定了
GG path finding早就玩过一堆GAA 只是线路没那么细没好处
另外关于进度:
"Samsung expects its 3GAE process to offer first customer tapeouts in 2020,
with risk production in late 2020 and volume manufacturing in late 2021."
阿原本不是说现在就要risk production吗? 怎么要龟那么久呢~~