SK Hynix公布了最新的DDR5路线图，并已确认今年将开始限量生产下一代DRAM
早在2018年11月SK Hynix宣布开发了业界首个根据JEDEC标准构建的1Ynm 16Gb DDR5 DRAM
现在它们使我们对下一步有一个大致了解。
据SK Hynix称与DDR4相比，DDR5旨在提供两倍以上的频宽。据称从DDR3到DDR4一直追溯到
2013年
频宽增加了33％（从1600 Mbps增加到2133 Mbps）
借助DDR5，SK Hynix的目标是使每个DIMM的频宽增加50％以上。
SK Hynix在其DDR5规格表中提到，我们正在研究的速度从3200MHz一直到DDR5的8400MHz
相比之下按照JEDEC标准，DDR4的速度范围为1600至3200 MHz，但是我们已经看到各种记
忆体制造商
将DDR4的后端更新推到5000 MHz。以类似的方式，我们可能不会一开始就看到8400MHz
DIMM，一旦DRAM成熟
它们可能最终会被启动。
如果我们考虑将DDR5的频宽增加50％，那么我们将在DDR5的第一个更新中看到更为保守的
4800MHz DRAM速度
与我们在DDR4 DIMM上看到的标准速度（通常为2800）相比，该速度仍然较快）。
就密度而言DDR5最高可支援64 Gb DRAM密度，在单个DIMM上最多可支援64GB DDR5
SK Hynix还计划生产24Gb和32Gb DRAM，这将产生24GB或48GB的容量
具体取决于内存供应商是否要采用双容量路线。目前有几家内存制造商提供双容量
DDR4
而主机板供应商在各自的平台上增加了对此类DIMM的支援这始于Intel Z390平台，此后也
被推到某些X299主机板上。
DDR5将导入更高频宽所需的其他功能包括：容量大小增加一倍（32 banks对16 banks）
并且Burst Length也增加了一倍，与DDR4的8个相比，增加为16个。第三，DDR4在刷新时
无法执行其他操作
因此在刷新定时无法从系统访问它。但是DDR5采用了Same Bank Refresh功能
允许系统在某些储存区执行时访问其他储存区，从而提高了内存访问的可用性。
就功率效率而言，DDR5的工作电压为1.1V，而DDR4的工作电压为1.2V。因此我们可以看到
功耗降低20％
DDR5还将拥有ECC和ECS功能，从而可以进一步降低针对服务器的平台的成本。
IDC报导称DDR5预计将在2021年占整个DRAM市场的22％，到2022年将占43％
就平台而言AMD的第三代EPYC Genoa和Intel的Sapphire Rapids Xeon服务器处理器都将支
援DDR5
目前尚不清楚何时会在消费者平台上看到新的内存标准，但是随着AMD于2021年推出其
Zen 4处理器
以及Intel推出其下一代Alder Lake CPU，我们很可能会看到DDR5在2021年末或2022年初
在消费者方面采取行动。
来源
https://wccftech.com/sk-hynix-ddr5-memory-up-to-8400-mhz-speeds-64-gb-dram-mass-production-this-year/
XF编译
https://www.xfastest.com/thread-239881-1-1.html
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