研究：现今的DDR4内存依然无法免疫于Rowhammer攻击
文/陈晓莉 | 2020-03-13发表
阿姆斯特丹自由大学（Vrije Universiteit Amsterdam）的漏洞安全实验室VUSec Lab在本周指出，内存制造商为了解决Rowhammer攻击而部署的缓解措施并不充份，他们发现了编号为CVE2020-10255的新一批漏洞，就算是在最新的DDR4内存上仍能发动Rowhammer攻击，而且这是整个内存产业的问题，也波及Google Pixel 3、OnePlus 7及Samsung G970F/DS等手机。
研究人员先是在2012年发现了针对动态随机存取内存（DRAM）展开的Rowhammer攻击。内存是由数列的记忆元（Cell）所组成，当骇客锁定所要攻击的内存列时，只要重复造访隔壁列的记忆元，就会造成内存控制电路的电压波动，影响目标内存列，造成位元翻转现象，例如1变成0或0变成1，骇客只要依照需求持续变更内存内的位元，最终将能造成权限扩张。
原本研究人员认为Rowhammer攻击，只存在于PC及服务器等效能较高的运算装置上，但随着手机运算效能的提升，阿姆斯特丹自由大学（Vrije Universiteit Amsterdam）的漏洞安全实验室VUSec Lab在2016年，证实了该攻击同样适用于手机，在所测试的13款、27支Android手机中，成功开采了当中的18支手机，且即使是同样型号的Android手机，也可能因内存品牌的不同，而有不同的结果。
为了防范Rowhammer攻击，内存产业部署了统称为“目标列刷新”（ Target Row Refresh，TRR）的各式解决方案，其基本概念是设定内存列的阀值，并在存取频率超过该阀值时刷新所侦测到的目标列，也一致于新一代的DDR4上部署TRR。
然而，VUSec Lab指出，已知的各种Rowhammer攻击手法，的确无法对部署TRR的DDR4造成影响，但他们发展了一个新的TRRespass工具，可以绕过业者的TTR修补，并成功攻陷了DDR4。
这是因为现有的Rowhammer手法最多利用两列进行攻击，而TRRespass的作法，则是不断地在DRAM上的各个区域随机存取不同列，出现太多的攻击列令TTR不知所措，而再度成功造成了目标内存列的位元翻转现象。换句话说，只要增加攻击列的数量，TTR就可能会失效。
VUSec Lab检验了42款DRAM模组，以TRRespass成功攻陷了当中的13个。VUSec Lab并未公布这些DRAM模组的品牌，因为该实验室认为这是整个内存产业的问题，相信前三大DRAM厂商也无法幸免于难。
此外，VUSec Lab也以TRRespass测试了13款手机，成功开采了其中的5款，包括第一代的Google Pixel 、Google Pixel 3、LG G7 ThinQ、OnePlus 7与Samsung G970F/DS。
VUSec Lab团队已透过GitHub公布了TRRsspass的程式码，并打算释出相关的Android程式，以让使用者测试自己的手机是否也面临Rowhammer攻击的风险。
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