台积电采用极紫外光 (EUV) 强效版 7 奈米制程正式量产，6 奈米预计明年 Q1 试产
WILLIAM·2019-10-07
晶圆代工龙头台积电今天宣布，采用极紫外光 (EUV) 技术的强效版 7 奈米制程，已协助
客户产品导入量产阶段，另外也预计 6 奈米将于明年第 1 季 (Q1) 试产。
台积电表示，导入极紫外光 (EUV) 的光刻技术的强效版 7 奈米制程，是史上量产速度最
快的制程之一，今年已于第 2 季开始量产，并且良率与一般 7 奈米制程相当接近。
台积电指出，因 EUV 的较短波长，相较于传统的 DUV 能够进一步让芯片得以持续微缩，
且 EUV 制程设备在各方面也已达到大量生产的目标水准。强效版 7 奈米的逻辑密度相较
于一般 7 奈米制程，提高了 15% 至 20%，在功耗方面也能够有所降低。
另外，预计将于明年第 1 季试产的 6 奈米制程，在逻辑密度方面将会比 7 奈米制程还
要再提高 18%，且因为 6 奈米与 7 奈米设计法则完全相容，因此可大幅缩短客户产品上
市时间。
资料来源:https://news.xfastest.com/tsmc/70626/tsmc-euv-7nm-and-6nm/
心得:
是说后面6奈米且设计法则完全相容
是不是当年跟 GF 的 14nm LPP 和 12nm LP 的状况有点像?