中国首款自研DRAM芯片 长鑫存储传年底量产
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2019-06-14 05:30
日经新闻报导，中国长鑫存储技术正重新设计内存芯片DRAM，计画年底开始少量量产。
图为东芝内存模组（彭博）
https://i.imgur.com/qAn9h8J.jpg
〔编译杨芙宜／综合报导〕
美中科技战延烧之际，日经新闻报导，中国正极力增加半导体核心技术的自给自足；
2位知情人士透露，
中国长鑫存储技术（Changxin Memory Technologies）
首款自主设计DRAM（动态随机存取内存）芯片准备年底开始部分量产；
长鑫存储正重新设计DRAM，以让用到的美国技术最小化，
避免侵权和成为美国打击的对象。
长鑫存储成立于2016年，先前称合肥长鑫，
和福建晋华、长江存储为“中国制造2025”的3大半导体国家队。
晋华去年被美国处以贸易黑名单的禁售制裁、被起诉窃取商业机密后，
处于营运停止状态，长鑫若年底量产成功，
将是首家有望和三星电子、美光科技等两大DRAM钜子竞争的中企。
消息人士透露，长鑫在合肥DRAM厂已投资约80亿美元，打算在年底量产，
最初每月预计生产约1万片晶圆，
“这将须经历某一学习曲线，但该公司计画今年底前有一些量产”。
DRAM应用在笔电到智慧手机、资料中心服务器、连网汽车等数亿装置上。
研究机构CINNO分析师Sean Yang表示，相较目前全球每月生产130万片晶圆，
上述数字很少，但对还没有本土自制DRAM芯片的中国来说，这是项重大突破。
去年全球DRAM市场价值达996.5亿美元，
三星电子、SK海力士、美光科技等三大厂掌控了95%产量。
被视美下个可能打击对象
据透露，长鑫生产仍依赖美国的设备及设计器材供应商，无法完全排除美国制裁威胁，
但重新设计DRAM将使它隔绝于窃取美国智慧财产的指控，避免沦落晋华下场；
长鑫被广泛视为是美国华府下个可能打击对象，正采取额外步骤防范被控侵权，
也替中国提供芯片断源的备案。
传技术来自德国英飞凌
报导说，长鑫DRAM设计基于德国芯片商英飞凌旗下DRAM大厂
奇梦达（Qimonda，2009年破产）技术，
但世界顶尖半导体厂商仍需用到美国设备、原料、电子设计自动化工具，
仍很难完全避开。
长期恐冲击DRAM价格
分析师认为，若长鑫加快增加产能，未来2年或许将进一步冲击已被压低的DRAM价格。