台内存材料大突破 体积缩小容量更大
（中央社记者蔡芃敏台北2019年5月22日电）台湾研发团队首创铁酸铋结合光学技术，让
内存体积可以大幅缩小，同时也降低耗能，成果更登上国际期刊自然材料。
科技部今天举行“颠覆传统0与1的世界：下世代光控多元记忆材料研究刊登国际期刊”记
者会，成功大学物理系团队耗时2年，在内存材料铁酸铋研究有重大突破，团队首创光
学技术，结合多铁性材料铁酸铋，让内存体积大幅缩小，研究成果也刊登在国际顶尖期
刊“自然材料”（Nature Materials）。
杨展其说，不过，铁酸铋材料可以储存高达8种逻辑状态（0到7），大幅度提升储存资讯
的密度。以相同储存量为前提，使用铁酸铋材料的内存体积可以小至100倍。
团队研究最大突破在于“光挠效应”，利用“光”控制铁酸铋中的多位元记忆组态。杨展
其指出，传统内存材料已经不便宜，电路制作又要再花费开销。现在只要靠光调控铁酸
铋的记忆组态，就不需要复杂的电路，也可以缩小内存体积。
他也说，相较于现今商用非挥发性内存有断电长时间后会损失资料的问题，多铁性材料
更加稳定，不需要插电就可以保持记忆，而且就算在摄氏400度的高温下仍然可以维持记
忆组态。
杨展其表示，简单来说就是更小、容量更大、更省钱。
不过，杨展其也坦言，因为现在商用算法都是用二进制、0与1，铁酸铋材料距离商用还
有很大长路要走，现在需要全新算法，不过，在材料开发上已经跨出一大步。（编辑：
郑雪文）
国立成功大学物理系助理教授兼科技部爱因斯坦计画主持人的杨展其表示，相较一般传统
内存只能储存0与1，基础记忆单元只能靠不断缩小元件尺寸，才能提高内存密度。
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