作为GPU技术大会（GTC）的一部分，Samsung推出了新一代HBM2
叫做Flashbolt，我们称之为高频宽内存（HBM2E）。
使用Flashbolt HBM2，Samsung将数据速率从每引脚2.4 GBit/s提高到3.2 GBit/s，提高
了33％
此外内存每个芯片的容量为16 GBit。具有八个储存器层的堆栈拥有16GB的容量和
410GB/s的频宽。
在当前的显示卡使用HBM2像AMD Radeon RX Vega56和64 以及NVIDIA Titan V
可达到820或1230GB的内存频宽/秒将成为可能。配备四个堆栈（例如NVIDIA Tesla
V100或AMD Radeon VII）的卡甚至可以到1.64TB/s。
目前Samsung没有提供有关Flashbolt HBM2的任何进一步细节。因此没有提到有关工作电
压的讯息
而且DRAM层的制造技术是未知的。Samsung肯定会在稍后提供更多细节。
来源
https://www.hardwareluxx.de/index.php/news/hardware/grafikkarten/48996-schneller-speicher-samsungs-flashbolt-hbm2-erreicht-3-2-gbit-s.html
XF编译
https://www.xfastest.com/thread-226779-1-1.html
老黄新卡技术 又要用到卖贵了