在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式
MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。
MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式随机存取内存)，是一种非易失性记忆
体技术，从 1990 年代开始发展。此技术速度接近静态随机内存的高速读取写入能力，
具有快闪存储器的非挥发性，容量密度及使用寿命不输 DRAM，但平均能耗远低于 DRAM，
而且基本上可以无限次地重复写入。
英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在 200 摄氏度下实现长达 10 年的记忆期，并可在
超过 106 个开关周期内实现持久性。并且英特尔在其 22 FFL 工艺中，描述 STT-MRAM (
基于 MRAM 的自旋转移力矩) 非易失性内存的关键特性。英特尔称之其为“首款基于
FinFET 的 MRAM 技术”。
这项技术可相当于“生产准备就绪”的阶段，英特尔并没有向任何代工客户透露该流程资
讯，但从多个讯息源来看，目前正在出货的商品中已经采用这项技术。
至于三星也称其 8Mb MRAM 的续航能力为 106 次，记忆期为 10 年。而三星技术最初将
用于物联网应用。三星研发中心首席工程师 Yoon Jong Song 表示，在将其用于汽车和工
业应用之前，可靠性必须提高。三星已成功将技术从实验室转移到工厂，并将在不久的将
来商用化。
三星并在 28nm FDSOI 平台上宣称，在可扩展性、形状依赖性、磁性可扩展性等方面来衡
量，STT-MRAM 目前被认为是最好的 MRAM 技术。
随着内存产业朝向更小的节点转变，在技术上面临着严峻的可扩充性挑战。MRAM 除了
被视为能够取代传统内存芯片 DRAM 和 NAND 的候选人，还被视为一项充满吸引力的嵌
入式技术，可以替代快闪存储器和嵌入式 SRAM。
主要在于它具有快速读取写入时间，高耐用性和优秀的保留性。嵌入式 MRAM 被认为特别
适用于例如物联网 (IoT) 设备之类的应用，也赶搭上 5G 世代的列车。
随着制造成本下降以及其他内存技术面临可扩展性挑战，嵌入式 MRAM 正获得更多消费
性产品的关注。重要的是，随着新工艺技术的发展，SRAM 单元的尺寸不会随着剩余的工
艺而缩小，从这点来看，MRAM 变得越来越有吸引力。
来源:钜亨网
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