因应 2019 年内存价格下修，SK 海力士控制产能与资本支出
https://finance.technews.tw/2018/10/26/2019-skhynix/
根据韩国媒体《ETNEWS》报导，韩国内存大厂 SK 海力士（SK Hynix）表示，为了因应
2019 年包括 Nand Flash 快闪存储器及 DRAM 的价格走跌，SK 海力士不但将自 2018
年底前开始减少投资规模，还将监控并调整 2019 年的产能。
报导指出，SK 海力士是在发表 2018 年第 3 季财务状况时指出，在中美贸易大战越演越
烈，使得市场不确定因素增加的情况下，造成整体市场开始往保守的方向前进。SK 海力
士指出，近一年来，DRAM 内存虽然价格较低，但却不是呈现暴跌的情况。而且，Nand
Flash 快闪存储器也因近期的价格下跌，让整体供过于求的情况也所减缓。不过，在外在
因素环境影响下，整体内存市场将在 2019 年第 1 季再下修。
SK 海力士进一步表示，就 DRAM 来说，2019 年上半年市场将对服务器需求的减少，也使
得 DRAM 因短缺的情况获得纾解，使得价格有调降的空间。至于，Nand Flash 快闪记忆
体方面，2018 年第 3 季的价格已经跌回 2016 年的价格带，也就是回到近两年价格大涨
前的价位。加上 2019 年还有进一步下修的机会，所以为了因应这样的情况，SK 海力士
也预计进行相关的措施来面对。
首先，将计划调整设备投资和产能，以应对价格下跌。这部分包括将在 2019 年第 1 季
末将开始量产 Nand Flash 快闪存储器的 M15 工厂，以降低 SK 海力士对 DRAM 的依赖
。而位于中国无锡的 C2 工厂，也将把原来 2y（20nm）和 2z（20nm）的 DRAM 生产制程
，优化成 1xnm（10nm 后期）的产品，以降低生产成本，并将在 2019 年第 2 季量产。
至于，以生产 Nand Flash 快闪存储器为主的 M11 工厂，则将把 2D Nand Flash 转换为
生产 3D Nand Flash，也是因为就生产成本来进行的考量。
除了相关产能与制成的变化之外，SK 海力士还表示，未来将进一步缩减知本支出，并且
每一季视状况加以检讨。因为，就目前的情况看来，中美贸易大战将会影响中国品牌手机
商在 2018 年第 4 季到 2019 年的需求，加上英特尔处理器短缺的情况，将冲击个人电
脑未来的市场发展。不过，这样的情况有机会在 2019 年下半年有所改善。因此，SK 海
力士也将会密切观察。